Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 21 A 208 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 228-2869
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG24N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 25 Stück)*
CHF.75.35
Nur noch Restbestände
- Letzte 475 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.3.014 | CHF.75.23 |
| 50 - 100 | CHF.2.825 | CHF.70.72 |
| 125 + | CHF.2.562 | CHF.63.95 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 228-2869
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG24N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 850V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | E | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 184mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 59nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 208W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 850V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie E | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 184mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 59nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 208W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie reduziert Schalt- und Leitungsverluste.
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Verwandte Links
- Vishay E Series N-Kanal Dual, THT MOSFET 850 V / 21 A, 3-Pin TO-247AC
- Vishay E Series N-Kanal Dual, THT MOSFET 850 V / 16,3 A, 3-Pin TO-247AC
- Vishay E Series N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 35 A, 3-Pin TO-247AC
- Vishay N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 21 A, 3-Pin TO-247AC
- Vishay N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 34 A, 3-Pin TO-247AC
- Vishay N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 22 A, 3-Pin TO-247AC
- Vishay E Series N-Kanal Dual, SMD MOSFET 800 V / 21 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Vishay E Series N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A 250 W, 3-Pin TO-247AC