Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 850 V / 5 A 62.5 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 200-6867
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHD6N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.0.818 | CHF.20.38 |
| 50 - 100 | CHF.0.646 | CHF.16.28 |
| 125 - 225 | CHF.0.566 | CHF.14.24 |
| 250 - 600 | CHF.0.505 | CHF.12.75 |
| 625 + | CHF.0.495 | CHF.12.42 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 200-6867
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHD6N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 850V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | E | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 950mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 850V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie E | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 950mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay SIHD6N80AE-GE3 ist ein Leistungs-MOSFET der Serie E.
Niedrige Leistungszahl
Niedrige effektive Kapazität (Ziss)
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Ultraniedrige Gatterladung (Qg)
Lawinenenergie (UIS)
Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz
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