Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 5 A 62.5 W, 3-Pin TO-251
- RS Best.-Nr.:
- 200-6869
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHU6N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.30.20
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 01. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.1.208 | CHF.30.14 |
| 50 - 100 | CHF.0.914 | CHF.22.91 |
| 125 - 225 | CHF.0.84 | CHF.21.11 |
| 250 - 600 | CHF.0.662 | CHF.16.57 |
| 625 + | CHF.0.641 | CHF.15.91 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 200-6869
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHU6N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 850V | |
| Gehäusegröße | TO-251 | |
| Serie | E | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 950mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22.5nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 850V | ||
Gehäusegröße TO-251 | ||
Serie E | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 950mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22.5nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay sihuu6N80AE-GE3 ist ein Leistungs-MOSFET der Serie E.
Niedrige Leistungszahl
Niedrige effektive Kapazität (Ziss)
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Ultraniedrige Gatterladung (Qg)
Lawinenenergie (UIS)
Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz
Verwandte Links
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 5 A 62.5 W, 3-Pin SIHU6N80AE-GE3 TO-251
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 850 V / 5 A 62.5 W, 3-Pin TO-252
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 850 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin TO-252
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 5 A 62.5 W, 3-Pin TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 850 V / 5 A 62.5 W, 3-Pin SIHD6N80AE-GE3 TO-252
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 850 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin SiHD5N80AE-GE3 TO-252
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 5 A 62.5 W, 3-Pin SiHP6N80AE-GE3 TO-220
- Vishay SIHB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 850 V / 5 A 62.5 W, 3-Pin SIHB6N80AE-GE3 TO-263