Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 2.9 A 62.5 W, 3-Pin SIHU2N80AE-GE3 IPAK
- RS Best.-Nr.:
- 210-4997
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHU2N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.903 | CHF.9.08 |
| 100 - 240 | CHF.0.882 | CHF.8.84 |
| 250 - 490 | CHF.0.861 | CHF.8.62 |
| 500 - 990 | CHF.0.84 | CHF.8.38 |
| 1000 + | CHF.0.819 | CHF.8.18 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 210-4997
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHU2N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | IPAK | |
| Serie | E | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Höhe | 2.18mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße IPAK | ||
Serie E | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 6.22 mm | ||
Höhe 2.18mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie verfügt über ein IPAK-Gehäuse (TO-251).
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Ziss)
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Ultraniedrige Gatterladung (Qg)
Lawinenenergie (UIS)
Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz
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