Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin IPAK
- RS Best.-Nr.:
- 204-7228
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHU5N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.1'425.00
- Versand ab 03. Dezember 2026
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.0.475 | CHF.1'415.01 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 204-7228
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHU5N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | IPAK | |
| Serie | E | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.35Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 2.39mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße IPAK | ||
Serie E | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.35Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 2.39mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 6.22mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 800 V Drain-Source-Spannung, 4,4 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHU5N80AE-GE3
Merkmale und Vorteile:
Anwendungen
Welchen Gate-Spannungsbereich sollte ich für einen sicheren Betrieb anwenden?
Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Treiberauswahl aus?
Welchen Umgebungstemperaturen kann er während des Betriebs standhalten?
Welche Montageart ist auf der Leiterplatte erforderlich?
Verwandte Links
- Vishay SiHU5N80AE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin IPAK
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 2.9 A 62.5 W, 3-Pin IPAK
- Vishay SiHU4N80AE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 4.1 A 62.5 W, 3-Pin IPAK
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 800 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 800 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin TO-263
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 850 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin TO-252
- Vishay SiHD2N80AE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 2.9 A 62.5 W, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 6 A 45 W, 3-Pin IPAK
