Vishay E N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin IPAK
- RS Best.-Nr.:
- 204-7229
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHU5N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SIHU5N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | IPAK | |
| Serie | E | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.35Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 2.39mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße IPAK | ||
Serie E | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.35Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 6.22mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 2.39mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 800 V Drain-Source-Spannung, 4,4 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHU5N80AE-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Enhancement-Modus-Gerät, das für Schalt- und Leistungsumwandlung in industriellen und elektronischen Systemen entwickelt wurde. Es wird in einem durchkontaktierten IPAK-Gehäuse geliefert, das für die robuste Leiterplattenmontage und die einfache Installation in Steuer- und Stromversorgungsbaugruppen ausgelegt ist. Das Gerät eignet sich, wenn eine hohe Drain-Source-Spannungskapazität und eine moderate Strombelastbarkeit erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• 800 V Vds-Nennwert ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 4,4 A kontinuierlicher Ablassstrom für moderate Lastübertragung • 1,35 Ω Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last • Die Verlustleistung von 62,5 W unterstützt eine anhaltende thermische Belastung • 16,5 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltsteuerung • Maximale Betriebstemperatur von 150 °C für Umgebungen mit hohen Temperaturen
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler • Ideal für industrielle Motorantriebe-Frontenden • Wird für die Schaltung auf der Netzseite in Beleuchtungssteuerungen verwendet • Kann für Snubber- oder Klemmschaltungen in Leistungsmodulen verwendet werden • Geeignet für Prototyping und Reparatur in Durchsteckmontagen
Welchen Gate-Spannungsbereich sollte ich für einen sicheren Betrieb anwenden?
Das Gerät nimmt bis zu 30 V zwischen Gate und Quelle auf
Designs verwenden in der Regel Gate-Antriebsstufen, die mit diesem Maximum kompatibel sind, um Gate-Überlastungen zu vermeiden.
Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Treiberauswahl aus?
Eine Gate-Ladung von 16,5 nC am Nenn-Gate-Antrieb bestimmt den erforderlichen Treiberstrom und die Schaltverluste
wählen Sie einen Treiber, der ausreichend Spitzenstrom für die gewünschte Schaltgeschwindigkeit liefern kann.
Welchen Umgebungstemperaturen kann er während des Betriebs standhalten?
Es ist spezifiziert für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 150 °C, sodass das Wärmemanagement und die Überlegungen zur Verbindung zur Umgebung bei erhöhten Temperaturen wichtig bleiben.
Welche Montageart ist auf der Leiterplatte erforderlich?
Es handelt sich um eine Durchsteckkomponente in einem IPAK-Gehäuse, daher müssen die Designs geeignete Bohrungen und Lötpads für mechanische Stabilität und Wärmeübertragung enthalten.
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