Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 800 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin SIHP5N80AE-GE3 TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

CHF.17.96

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1’050 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 90CHF.1.796CHF.17.91
100 - 240CHF.1.701CHF.17.01
250 - 490CHF.1.439CHF.14.35
500 - 990CHF.1.344CHF.13.43
1000 +CHF.1.25CHF.12.53

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
225-9919
Herst. Teile-Nr.:
SIHP5N80AE-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

E

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.35Ω

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

62.5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16.5nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

15.85mm

Breite

4.65 mm

Länge

10.52mm

Automobilstandard

Nein

Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Ziss)

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Ultraniedrige Gatterladung (Qg)

Lawinenenergie (UIS)

Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz

Verwandte Links