Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 6.4 A 62.5 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 200-6821
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP690N60E-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 200-6821
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP690N60E-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | E | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 700mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie E | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 700mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung 650 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom 6,4 A – SIHP690N60E-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsmanagementaufgaben in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Er wird in einem TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das für Kühlkörper geeignet ist, und ist für Ingenieure vorgesehen, die an Steuer-, Umwandlungs- und Schutzschaltkreisen arbeiten, bei denen eine robuste Spannungsfestigkeit und eine einfache Montage erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• 650 V Vds für Hochspannungsschaltfähigkeit • 6,4 A kontinuierlicher Ablassstrom für mäßige Lasthandhabung • 700 mΩ Rds(on) für vorhersehbare Leitungsverluste • 12 nC typische Gate-Ladung für handhabbare Schaltenergie • 62,5 W Verlustleistung zur Unterstützung des thermischen Designs • Maximale Sperrschichttemperatur von 150 °C für den Betrieb bei erhöhter Temperatur
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-Schaltnetzteile • Ideal für Motorantriebs-Gate-Stufen-Schaltkreise • Wird für industrielle Umrichter-Schutzschaltvorgänge verwendet • Kann für Leistungsfaktorkorrekturstufen verwendet werden • Geeignet für Hochspannungsrelais- und Schütztreiberkreise
Was ist der empfohlene Gate-Spannungsbereich für die Ansteuerung dieses Geräts?
Das Gerät akzeptiert Gate-Spannungen bis zu 30 V, sodass Gate-Treiber so ausgewählt werden sollten, dass sie innerhalb dieser Grenze bleiben und einen ausreichenden Antrieb für die spezifizierte Gate-Ladung bieten.
Wie sollte das Wärmemanagement bei der Montage behandelt werden?
Verwenden Sie einen kompatiblen Kühlkörper auf der TO-220AB-Fahne und stellen Sie einen ausreichenden Luftstrom sicher
Berücksichtigung der Verlustleistung von 62,5 W bei der Berechnung des Temperaturanstiegs.
Welche Umgebungsbedingungen sind für den Betrieb akzeptabel?
Die Komponente ist für den Betrieb bis zu -55 °C spezifiziert, während die maximale Sperrschichttemperatur 150 °C beträgt, sodass die Konstruktionen den thermischen Widerstand zwischen Sperrschicht und Umgebungstemperatur bewältigen müssen, um innerhalb dieser Grenzen zu bleiben.
Gibt es Überlegungen für Schaltverluste bei hoher Spannung?
Mit einer Gate-Ladung von 12 nC und 700 mΩ Rds(on) sollten Entwickler die Geschwindigkeit des Gate-Antriebs gegen den Schaltverlust ausgleichen, insbesondere bei Anwendungen, die häufig bei hohen Vds schalten.
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