Vishay E N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 6.4 A 62.5 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 200-6821
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP690N60E-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF 2.222 | CHF 55.47 |
| 50 - 100 | CHF 2.091 | CHF 52.17 |
| 125 - 225 | CHF 1.889 | CHF 47.15 |
| 250 - 600 | CHF 1.778 | CHF 44.39 |
| 625 + | CHF 1.667 | CHF 41.61 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 200-6821
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP690N60E-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | E | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 700mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie E | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 700mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung 650 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom 6,4 A – SIHP690N60E-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben in industriellen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und wird in einem TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das für herkömmliche Kühlkörper und manuelle Montageanwendungen geeignet ist.
Merkmale und Vorteile:
• 650 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• 6.4 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• 700 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 62.5 W ermöglicht eine erhebliche thermische Handhabung
• 12 nC Gate-Ladung reduziert die Treiberenergie für schnelleres Schalten
• Eine Gate-Source-Toleranz von 30 V ermöglicht flexible Gate-Antriebsstufen
• 6.4 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• 700 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 62.5 W ermöglicht eine erhebliche thermische Handhabung
• 12 nC Gate-Ladung reduziert die Treiberenergie für schnelleres Schalten
• Eine Gate-Source-Toleranz von 30 V ermöglicht flexible Gate-Antriebsstufen
Anwendungen
• Geeignet für Offline-Stromversorgungen und Hochspannungswandler
• Ideal für die Gate-Stufe des Motorantriebs und das Schalten von Wechselrichtern
• Einsatz mit diskreten Schaltnetzteilen in industriellen Geräten
• Kann für Laborprototypen verwendet werden, die eine Durchsteckmontage erfordern
• Geeignet für Treiberstufen in Hochspannungsbeleuchtungssteuerungen
• Ideal für die Gate-Stufe des Motorantriebs und das Schalten von Wechselrichtern
• Einsatz mit diskreten Schaltnetzteilen in industriellen Geräten
• Kann für Laborprototypen verwendet werden, die eine Durchsteckmontage erfordern
• Geeignet für Treiberstufen in Hochspannungsbeleuchtungssteuerungen
Welchen Temperaturbereich verträgt er in anspruchsvollen Installationen?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und eignet sich für raue Industrieumgebungen.
Welche Befestigungs- und Kühloptionen sind damit kompatibel?
Das Durchsteckformat des TO-220AB ermöglicht die direkte Leiterplattenmontage und die Befestigung an herkömmlichen Kühlkörpern für ein verbessertes Wärmemanagement.
Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Treiberauswahl aus?
Mit einer typischen Gate-Ladung von 12 nC erfordert es eine moderate Gate-Drive-Fähigkeit, was den Einsatz mit kompakten Treibern ermöglicht und gleichzeitig angemessene Schaltgeschwindigkeiten aufrechterhält.
Ist es für Anwendungen in Automobilqualität geeignet?
Es ist nicht spezifiziert, dass es den Automobilstandards entspricht, sodass es besser für allgemeine industrielle und gewerbliche Elektronikdesigns geeignet ist.
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