Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 35 A 227 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 228-2874
Herst. Teile-Nr.:: SiHP080N60E-GE3
Marke:: Vishay

Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 35 A 227 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 228-2874
Herst. Teile-Nr.:: SiHP080N60E-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	35A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Serie	E
	Gehäusegröße	JEDEC TO-220AB
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	80mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	227W
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	42nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 35A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Serie E
	Gehäusegröße JEDEC TO-220AB
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 80mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 227W
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SiHP080N60E-GE3

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung 650 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom 35 A – SiHP080N60E-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für die Leistungsumwandlung und -steuerung in industriellen und elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Transistor in einem TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung und ermöglicht eine robuste Montage und Kühlung für anspruchsvolle Anwendungen. Das Gerät eignet sich für Schaltkreise, die eine hohe Ablass-Quellenspannung und eine hohe Dauerstrombelastbarkeit erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 650 V ermöglicht die Handhabung von Hochspannungsschienen • 35 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme • 80 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste beim Schalten • Typische Gate-Ladung von 42 nC reduziert den Energiebedarf des Treibers • Die Verlustleistung von 227 W ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung • Die maximale Sperrschichttemperatur von 150 °C ermöglicht den Betrieb bei hohen Temperaturen

Anwendungen

• Geeignet für Hochspannungs-DC/DC-Wandler in industriellen Netzteilen • Ideal für Motorantriebs-Frontenden, die robuste Schaltelemente erfordern • Wird für Wechselrichterstufen in erneuerbaren Systemen mit mittlerer Leistung verwendet • Kann für Leistungsfaktorkorrekturstufen in kommerziellen Geräten verwendet werden • Wird mit diskreten Schaltkonstruktionen verwendet, die eine Durchsteckmontage erfordern

Welche Gate-Drive-Bedenken sollte ich zulassen?

Erwarten Sie eine typische Gate-Ladung von 42 nC am spezifizierten Gate-Antrieb. Wählen Sie daher einen Treiber aus, der den erforderlichen Spitzenstrom liefern und ableiten kann, um die Schaltgeschwindigkeitsziele zu erfüllen.

Wie sollte das Wärmemanagement in einem Design angewendet werden?

Verwenden Sie einen geeigneten Kühlkörper, der an der TO-220-Flachstecker angeschlossen ist, und berücksichtigen Sie die Verlustleistung von 227 W unter definierten thermischen Bedingungen, um die Sperrschichttemperatur unter der Grenze von 150 °C zu halten.

Welche Polaritäts- und Montagebeschränkungen gibt es für die Leiterplattenintegration?

Das Gerät ist ein N-Kanal-Verbesserungsgerät mit drei Stiften in einer TO-220-Anordnung mit Durchgangsbohrung, das eine sichere mechanische Befestigung und eine einfache thermische Kopplung an einem Chassis oder Kühlkörper ermöglicht.

Gibt es Grenzwerte für die Gate-Spannung während des Betriebs?

Die maximale zulässige Gate-Source-Spannung beträgt 30 V, sodass Gate-Drive-Schaltkreise so konzipiert sein müssen, dass sie innerhalb dieses Schwellenwerts bleiben, um Gerätebelastungen zu vermeiden.