Vishay E N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 35 A 227 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 228-2874
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHP080N60E-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF 176.75
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 + | CHF 3.535 | CHF 176.95 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 228-2874
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHP080N60E-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 35A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | E | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 80mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 227W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 35A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie E | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 80mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 227W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 35 A kontinuierlicher Drain-Strom – SiHP080N60E-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für Durchsteckstromanwendungen entwickelt wurde, bei denen eine robuste thermische und elektrische Leistung erforderlich ist. Es arbeitet in einem breiten Umgebungsbereich, unterstützt Schaltfunktionen mit moderater Gate-Ladung und wird in einem TO-220AB-Gehäuse für einfache Kühlkörper- und Montage auf herkömmlichen Leiterplatten montiert.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• Die Dauerstromfähigkeit von 35 A unterstützt erhebliche Lastströme
• 80 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste während der Leistungsübertragung
• Maximale Verlustleistung von 227 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• 42 nC typische Gate-Ladung liefert vorhersehbare Schaltenergie
• Die Gate-Toleranz von ±30 V ermöglicht große Antriebsspannungsbereiche
• Die Dauerstromfähigkeit von 35 A unterstützt erhebliche Lastströme
• 80 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste während der Leistungsübertragung
• Maximale Verlustleistung von 227 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• 42 nC typische Gate-Ladung liefert vorhersehbare Schaltenergie
• Die Gate-Toleranz von ±30 V ermöglicht große Antriebsspannungsbereiche
Anwendungen
• Geeignet für netzgebundene SMPS- und PFC-Schaltkreise
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Wechselrichterstufen
• Einsatz mit Hochspannungs-DC/DC-Wandlern in Telekommunikation
• Kann für Schaltbeleuchtungs- und Vorschaltgerätesysteme verwendet werden
• Einsatz in Batterie-Lade- und Energiespeicher-Wandlern
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Wechselrichterstufen
• Einsatz mit Hochspannungs-DC/DC-Wandlern in Telekommunikation
• Kann für Schaltbeleuchtungs- und Vorschaltgerätesysteme verwendet werden
• Einsatz in Batterie-Lade- und Energiespeicher-Wandlern
Welchen Temperaturbereich verträgt das Gerät in rauen Umgebungen?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Betrieb bei extremen industriellen Temperaturen.
Wie soll das Gerät montiert und gekühlt werden?
Das Durchsteckformat des TO-220AB ermöglicht eine direkte Befestigung mit einem Kühlkörper für ein effektives Wärmemanagement und leiterplattenmontierte Stromversorgungsdesigns.
Welche Gate-Treibergrenzwerte sollten bei der Konstruktion beachtet werden?
Die Gate-Source-Spannung darf ±30 V nicht überschreiten, um Gate-Oxidbelastungen zu vermeiden und eine zuverlässige Schaltung zu gewährleisten.
Ist die Komponente für Niederspannungssignalschaltvorgänge geeignet?
Dank seiner 1,2-V-Durchlassspannung und seiner leistungsorientierten Konstruktion ist er für die Hochspannungs-Leistungsumwandlung anstatt für das Schalten von Niederspannungssignalen optimiert.
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