Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 35 A 227 W, 3-Pin SiHG080N60E-GE3 TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 228-2864
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHG080N60E-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.10.858
Nur noch Restbestände
- Letzte 438 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.5.429 | CHF.10.86 |
| 20 - 48 | CHF.4.893 | CHF.9.78 |
| 50 - 98 | CHF.4.347 | CHF.8.68 |
| 100 - 198 | CHF.3.969 | CHF.7.93 |
| 200 + | CHF.3.423 | CHF.6.85 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 228-2864
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHG080N60E-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 35A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | E | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 80mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 227W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 35A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie E | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 80mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 227W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie reduziert Schalt- und Leitungsverluste.
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Verwandte Links
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 35 A 227 W, 3-Pin TO-247
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 35 A 227 W, 3-Pin SiHP080N60E-GE3 TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 35 A 227 W, 3-Pin TO-220
- Vishay SIHB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 35 A 227 W, 3-Pin SIHB080N60E-GE3 TO-263
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 35 A, 4-Pin TO-247
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 35 A, 3-Pin TO-247
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 14 A 35 W, 3-Pin SiHF080N60E-GE3 TO-220
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 35 A, 3-Pin IMW65R057M1HXKSA1 TO-247