Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 35 A 227 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 228-2875
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHP080N60E-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.10.828
Auf Lager
- 698 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.5.414 | CHF.10.84 |
| 20 - 48 | CHF.4.878 | CHF.9.76 |
| 50 - 98 | CHF.4.606 | CHF.9.22 |
| 100 - 198 | CHF.4.333 | CHF.8.67 |
| 200 + | CHF.4.01 | CHF.8.02 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 228-2875
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHP080N60E-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 35A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 80mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 227W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 35A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 80mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 227W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung 650 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom 35 A – SiHP080N60E-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für die Leistungsumwandlung und -steuerung in industriellen und elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Transistor in einem TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung und ermöglicht eine robuste Montage und Kühlung für anspruchsvolle Anwendungen. Das Gerät eignet sich für Schaltkreise, die eine hohe Ablass-Quellenspannung und eine hohe Dauerstrombelastbarkeit erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 650 V ermöglicht die Handhabung von Hochspannungsschienen • 35 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme • 80 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste beim Schalten • Typische Gate-Ladung von 42 nC reduziert den Energiebedarf des Treibers • Die Verlustleistung von 227 W ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung • Die maximale Sperrschichttemperatur von 150 °C ermöglicht den Betrieb bei hohen Temperaturen
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-DC/DC-Wandler in industriellen Netzteilen • Ideal für Motorantriebs-Frontenden, die robuste Schaltelemente erfordern • Wird für Wechselrichterstufen in erneuerbaren Systemen mit mittlerer Leistung verwendet • Kann für Leistungsfaktorkorrekturstufen in kommerziellen Geräten verwendet werden • Wird mit diskreten Schaltkonstruktionen verwendet, die eine Durchsteckmontage erfordern
Welche Gate-Drive-Bedenken sollte ich zulassen?
Erwarten Sie eine typische Gate-Ladung von 42 nC am spezifizierten Gate-Antrieb. Wählen Sie daher einen Treiber aus, der den erforderlichen Spitzenstrom liefern und ableiten kann, um die Schaltgeschwindigkeitsziele zu erfüllen.
Wie sollte das Wärmemanagement in einem Design angewendet werden?
Verwenden Sie einen geeigneten Kühlkörper, der an der TO-220-Flachstecker angeschlossen ist, und berücksichtigen Sie die Verlustleistung von 227 W unter definierten thermischen Bedingungen, um die Sperrschichttemperatur unter der Grenze von 150 °C zu halten.
Welche Polaritäts- und Montagebeschränkungen gibt es für die Leiterplattenintegration?
Das Gerät ist ein N-Kanal-Verbesserungsgerät mit drei Stiften in einer TO-220-Anordnung mit Durchgangsbohrung, das eine sichere mechanische Befestigung und eine einfache thermische Kopplung an einem Chassis oder Kühlkörper ermöglicht.
Gibt es Grenzwerte für die Gate-Spannung während des Betriebs?
Die maximale zulässige Gate-Source-Spannung beträgt 30 V, sodass Gate-Drive-Schaltkreise so konzipiert sein müssen, dass sie innerhalb dieses Schwellenwerts bleiben, um Gerätebelastungen zu vermeiden.
Verwandte Links
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 35 A 227 W, 3-Pin TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 35 A 227 W, 3-Pin TO-247
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 14 A 35 W, 3-Pin TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 6.4 A 62.5 W, 3-Pin TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 4.3 A 29 W, 3-Pin TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 9 A 35 W, 3-Pin TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 30 A 35 W, 3-Pin TO-220
- Vishay SIHB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 35 A 227 W, 3-Pin TO-263