Vishay E N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 35 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 188-4970
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHA100N60E-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (2 Stück, in einer Packung mit 2)*
CHF 10.26
- 994 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF 5.131 | CHF 10.25 |
| 20 - 48 | CHF 4.616 | CHF 9.23 |
| 50 - 98 | CHF 4.373 | CHF 8.75 |
| 100 - 198 | CHF 4.101 | CHF 8.20 |
| 200 + | CHF 3.848 | CHF 7.70 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-4970
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHA100N60E-GE3
- Marke:
- Vishay
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | E | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.1Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 35W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 33nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.7mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.3mm | |
| Höhe | 15.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie E | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.1Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 35W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.7mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.3mm | ||
Höhe 15.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung 600 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom 12 A – SIHA100N60E-GE3
Merkmale und Vorteile:
• 12 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 0,1 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Stromkreisen
• Die Verlustleistung von 35 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme bei Umgebungskühlung
• Eine typische Gate-Ladung von 33 nC ermöglicht eine kontrollierte Gate-Antriebsenergie
• Maximale Gate-Ansteuerung mit 30 V gewährleistet eine robuste Gate-Overdrive-Marge
Anwendungen
• Ideal für Hochspannungs-Motor-Wechselrichterstufen
• Verwendet mit diskreten Aufwärtswandler-Topologien
• Kann für industrielle Batterieladesysteme verwendet werden
• Geeignet für Leistungsfaktorkorrektur-Frontenden
Was sind die thermischen Grenzwerte für den Dauerbetrieb?
Welche Verpackungs- und Montagetechnik wird verwendet?
Welche Gate-Drive-Beschränkungen müssen beachtet werden?
Wie wirkt sich die Durchlassspannung auf das Schaltungsdesign aus?
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