Vishay E N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 40 A 250 W, 4-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 134-9170
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP065N60E-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (50 Stück, in einer Stange mit 50)*
CHF 207.05
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 16. März 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 4.141 | CHF 207.25 |
| 100 + | CHF 4.04 | CHF 202.10 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 134-9170
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP065N60E-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 49nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.51mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.65mm | |
| Höhe | 15.49mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 49nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.51mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.65mm | ||
Höhe 15.49mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, E-Serie, Niedriger Gütefaktor, Vishay Semiconductor
Die Leistungs-MOSFETs der Serie E von Vishay umfassen Hochspannungs-Transistoren mit einem ultraniedrigen maximalen Widerstand und niedrigem Gütefaktor und ermöglichen schnelles Schalten. Sie sind in zahlreichen Nennströmen erhältlich. Typische Anwendungen umfassen Server und Stromversorgung für die Telekommunikation, LED-Beleuchtung, Sperrwandler, Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und Schaltnetzteile (SMPS).
Merkmale
Niedriger Gütefaktor (FOM), niedriger RDS(ein) x Qg
Niedrige Eingangskapazität (Ciss)
Niedriger Widerstand (RDS(ein))
Ultraniedrige Gatterladung (Qg)
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 40 A 250 W, 4-Pin TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 29 A 37 W, 3-Pin TO-220
- Vishay SiHP068N60EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 41 A 250 W, 3-Pin TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 29 A 250 W, 3-Pin TO-263
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 29 A 250 W, 3-Pin TO-247
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 35 W, 3-Pin TO-220
- Vishay SiHP22N60EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-220
- Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 33 W, 3-Pin TO-220