Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 33 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

CHF.133.90

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 1’000 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 50CHF.2.678CHF.133.93
100 - 200CHF.2.331CHF.116.55
250 +CHF.1.985CHF.99.12

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
188-4871
Herst. Teile-Nr.:
SIHA22N60EF-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

19A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

EF

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.182Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Verlustleistung Pd

33W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

48nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.7 mm

Länge

10.3mm

Höhe

15.3mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET der Serie EF mit schneller Gehäusediode.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige Eingangskapazität (Ciss)

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

ANWENDUNGEN

Server- und Telekommunikations-Netzteile

Schaltnetzteile (SNT)

Netzteile für Leistungsfaktorkorrektur (PFC)

Verwandte Links