Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 33 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 188-4973
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHA22N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.3.161 | CHF.15.78 |
| 25 - 45 | CHF.2.846 | CHF.14.21 |
| 50 - 120 | CHF.2.688 | CHF.13.42 |
| 125 - 245 | CHF.2.52 | CHF.12.61 |
| 250 + | CHF.2.363 | CHF.11.83 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-4973
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHA22N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | EF | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.182Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 33W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 15.3mm | |
| Länge | 10.3mm | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie EF | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.182Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 33W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 15.3mm | ||
Länge 10.3mm | ||
Breite 4.7 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie EF mit schneller Gehäusediode.
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige Eingangskapazität (Ciss)
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
ANWENDUNGEN
Server- und Telekommunikations-Netzteile
Schaltnetzteile (SNT)
Netzteile für Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
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