Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 850 V / 6 A 33 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 239-8620
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHA15N80AEF-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- SIHA15N80AEF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 850V | |
| Serie | EF | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.35Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 54nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 33W | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 850V | ||
Serie EF | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.35Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 54nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 33W | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 850 V Drain-Source-Spannung, 6 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHA15N80AEF-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für anspruchsvolle Elektronik- und Automobilumgebungen vorgesehen ist. Es funktioniert als N-Kanal-Depletionsgerät in einem robusten TO-220-Oberflächengehäuse, das für erhöhte Spannungen und Temperaturen ausgelegt ist und gleichzeitig mit Standard-Gate-Drive-Pegeln verbunden ist.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 850 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 6 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme • Die Verlustleistung von 33 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Handhabung • 0,35 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last • 54 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltdynamik • Maximale Gate-Toleranz von 30 V schützt vor Gate-Überspannung
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungsnetzteile in der industriellen Automatisierung • Ideal für Automobil-Subsysteme, die die AEC‐Q101-Konformität erfordern • Wird für Motorsteuerungsschaltkreise verwendet, die robuste Schaltgeräte benötigen • Kann für DC/DC-Wandler in elektrischen Systemen verwendet werden • Wird mit Hochspannungs-Wechselrichterstufen in elektromechanischen Geräten verwendet
Welche extremen Temperaturen kann dieses Gerät im Betrieb tolerieren?
Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C und ermöglicht den Einsatz in rauen thermischen Umgebungen.
Wie wird das Gerät montiert und in Baugruppen integriert?
Es wird in einem oberflächenmontierten TO-220-Gehäuse mit drei Stiften für eine einfache Montage durch die Schalttafel oder am Kühlkörper geliefert.
Welches Schutzniveau ist für Umweltrichtlinien vorgesehen?
Die Komponente erfüllt die RoHS-Normen, was die Konformität mit eingeschränkten gefährlichen Stoffen für Materialien anzeigt.
Wie wirkt sich die Gate-Spezifikation auf die Antriebsschaltkreise aus?
Das Gate nimmt bis zu 30 V auf, daher sollten die Treiberstufen so konzipiert sein, dass sie innerhalb dieser Grenze bleiben, um Gate-Spannungen zu vermeiden.
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