Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 850 V / 6 A 33 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 239-8619
Herst. Teile-Nr.:: SIHA15N80AEF-GE3
Marke:: Vishay

Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 850 V / 6 A 33 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

CHF.54.05

Auf Lager

950 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
50 +	CHF.1.081	CHF.54.14

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 239-8619
Herst. Teile-Nr.:: SIHA15N80AEF-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	6A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	850V
	Serie	EF
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.35Ω
	Channel-Modus	Entleerung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	54nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Maximale Verlustleistung Pd	33W
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 850V
	Serie EF
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.35Ω
	Channel-Modus Entleerung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 54nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Maximale Verlustleistung Pd 33W
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - SIHA15N80AEF-GE3

Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 850 V Drain-Source-Spannung, 6 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHA15N80AEF-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für anspruchsvolle Elektronik- und Automobilumgebungen vorgesehen ist. Es funktioniert als N-Kanal-Depletionsgerät in einem robusten TO-220-Oberflächengehäuse, das für erhöhte Spannungen und Temperaturen ausgelegt ist und gleichzeitig mit Standard-Gate-Drive-Pegeln verbunden ist.

Merkmale und Vorteile:

• Der Ablasswert von 850 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 6 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme • Die Verlustleistung von 33 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Handhabung • 0,35 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last • 54 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltdynamik • Maximale Gate-Toleranz von 30 V schützt vor Gate-Überspannung

Anwendungen

• Geeignet für Hochspannungsnetzteile in der industriellen Automatisierung • Ideal für Automobil-Subsysteme, die die AEC‐Q101-Konformität erfordern • Wird für Motorsteuerungsschaltkreise verwendet, die robuste Schaltgeräte benötigen • Kann für DC/DC-Wandler in elektrischen Systemen verwendet werden • Wird mit Hochspannungs-Wechselrichterstufen in elektromechanischen Geräten verwendet

Welche extremen Temperaturen kann dieses Gerät im Betrieb tolerieren?

Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C und ermöglicht den Einsatz in rauen thermischen Umgebungen.

Wie wird das Gerät montiert und in Baugruppen integriert?

Es wird in einem oberflächenmontierten TO-220-Gehäuse mit drei Stiften für eine einfache Montage durch die Schalttafel oder am Kühlkörper geliefert.

Welches Schutzniveau ist für Umweltrichtlinien vorgesehen?

Die Komponente erfüllt die RoHS-Normen, was die Konformität mit eingeschränkten gefährlichen Stoffen für Materialien anzeigt.

Wie wirkt sich die Gate-Spezifikation auf die Antriebsschaltkreise aus?

Das Gate nimmt bis zu 30 V auf, daher sollten die Treiberstufen so konzipiert sein, dass sie innerhalb dieser Grenze bleiben, um Gate-Spannungen zu vermeiden.