Vishay EF N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 850 V / 6.5 A 34 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 239-8621
Herst. Teile-Nr.:: SiHA17N80AEF-GE3
Marke:: Vishay

Vishay EF N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 850 V / 6.5 A 34 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 239-8621
Herst. Teile-Nr.:: SiHA17N80AEF-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	6.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	850V
	Gehäusegröße	TO-220
	Serie	EF
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.305Ω
	Channel-Modus	Entleerung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	63nC
	Maximale Verlustleistung Pd	34W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 850V
	Gehäusegröße TO-220
	Serie EF
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.305Ω
	Channel-Modus Entleerung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC
	Maximale Verlustleistung Pd 34W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - SiHA17N80AEF-GE3

Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 850 V maximale Drain-Source-Spannung, 6,5 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SiHA17N80AEF-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsmanagementfunktionen in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er wird in einem TO-220-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist, und unterstützt erweiterte Betriebstemperaturen, wodurch er sich für Anwendungen eignet, die einen breiten Temperaturbereich und Robustheit in Automobilqualität erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 850 V Drain-Source ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 6.5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• 0.305 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• 63 nC typische Gate-Ladung senkt den Schaltenergiebedarf
• Maximale Verlustleistung von 34 W bewältigt thermische Belastungen im Betrieb
• Betriebsbereich von -55 °C bis +150 °C hält extremen Temperaturen stand

Anwendungen

• Geeignet für Hochspannungs-Leistungswandler und Wechselrichter
• Ideal für die Automobilelektronik, die die AEC-Q101-Anforderungen erfüllt
• Einsatz mit industriellen Motorantrieben, die ein robustes Schalten erfordern
• Kann für SMPS-Stufen zur Handhabung von Hochspannungsschienen verwendet werden
• Wird für die Stromschaltung in Schnittstellen für erneuerbare Energien verwendet

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen für einen sicheren Betrieb eingehalten werden?

Das Gerät darf eine Gate-Source-Spannung von 30 V nicht überschreiten, um eine Gate-Oxid-Befestigung zu verhindern.

Wie wirkt sich die Verpackung auf die thermische Handhabung aus?

Das TO-220-Gehäuse ermöglicht eine effektive Kühlung und unterstützt bei ordnungsgemäßer Montage die angegebene Verlustleistung von 34 W.

Welche Kanalcharakteristiken beeinflussen die Wahl der Schaltungstopologie?

Als N-Kanal-Depletion-Modus-Gerät leitet es ohne Gate-Antrieb und erfordert Gate-Bias-Strategien zur Steuerung des Aus-Zustands-Verhaltens.

Ist das Gerät für geregelte Automobilumgebungen geeignet?

Er entspricht den AEC-Q101-Standards für die Automobilindustrie und ist für erweiterte Temperaturgrenzen spezifiziert, um die Anforderungen von Fahrzeugsystemen zu erfüllen.