Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 850 V / 6.5 A 34 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 239-8621
Herst. Teile-Nr.:: SiHA17N80AEF-GE3
Marke:: Vishay

Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 850 V / 6.5 A 34 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 239-8621
Herst. Teile-Nr.:: SiHA17N80AEF-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	6.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	850V
	Serie	EF
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.305Ω
	Channel-Modus	Entleerung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	34W
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	63nC
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	AEC-Q101

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	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 850V
	Serie EF
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.305Ω
	Channel-Modus Entleerung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 34W
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - SiHA17N80AEF-GE3

Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 850 V Drain-Source-Spannung, 6,5 A Drain-Strom – SiHA17N80AEF-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für anspruchsvolle elektrische und Automobilumgebungen entwickelt wurde. Es arbeitet als N-Kanal-Depletionsgerät in einem TO-220-Oberflächengehäuse mit Durchgangsbohrung und bietet eine kompakte Lösung für die Leistungsumwandlung und Steuerung, bei der eine robuste Spannungsverarbeitung und thermische Spanne erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• Maximale Drain-Source-Spannung von 850 V für Hochspannungsanwendungen • 6,5 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhafte Lasthandhabung • 0,305 Ω Rds minimiert Leitungsverluste unter Last • 34 W Verlustleistung unterstützt hohe thermische Budgets • 63 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltsteuerung • Betriebsbereich von ±150 °C/-55 °C bietet eine breite Temperaturbeständigkeit

Anwendungen

• Geeignet für Hochspannungs-DC/DC-Wandlerstufen in industriellen Systemen • Ideal für Inverter-Frontenden und Leistungsfaktor-Schaltkreise • Wird für Schaltnetzteile in Automatisierungsgeräten verwendet • Kann für Kfz-Leistungselektronik verwendet werden, die die AEC-Q101-Kriterien erfüllt • Wird mit Gate-Treibern verwendet, die definierte Ladecharakteristiken erfordern

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten bei der Konstruktion beachtet werden?

Das Gerät toleriert eine Gate-Exkursion bis zu 30 V

Designs sollten sicherstellen, dass Gate-Drive-Schaltkreise innerhalb dieser Grenze bleiben, um Gate-Oxid-Bestressung zu vermeiden.

Wie sollte das Wärmemanagement für einen zuverlässigen Betrieb implementiert werden?

Mit einer Verlustleistung von 34 W befestigen Sie einen geeigneten Kühlkörper an der TO‐220-Fahne und stellen Sie einen ausreichenden Luftstrom sicher, um die Sperrschichttemperaturen innerhalb sicherer Grenzen zu halten.

Welche Überlegungen gelten für Schaltverluste und Treiberauswahl?

Mit einer typischen Gate-Ladung von 63 nC wählen Sie einen Treiber, der in der Lage ist, die erforderlichen Spitzenströme zu liefern und zu senken, um die gewünschten Anstiegs-/Abfallzeiten zu erreichen und gleichzeitig Schaltverluste zu bewältigen.

Ist das Gerät für Qualifizierungsprozesse im Automobilbereich geeignet?

Er entspricht den AEC-Q101-Standards für Automobil-MOSFETs und eignet sich daher für Designs, die Komponenten in Automobilqualität erfordern.

Welche elektrische Polarität und welches Kanalverhalten sollten Entwickler erwarten?

Der Transistor ist ein N-Kanal-Depletion-Gerät, sodass die Schaltkreistopologie bei der Implementierung von Schaltvorgängen normal-ein oder normal-aus den Kanalmodus berücksichtigen muss.