Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 850 V / 6.5 A 34 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 239-8622
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHA17N80AEF-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SiHA17N80AEF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 850V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | EF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.305Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 34W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 850V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie EF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.305Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 34W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 850 V Drain-Source-Spannung, 6,5 A Drain-Strom – SiHA17N80AEF-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für anspruchsvolle elektrische und Automobilumgebungen entwickelt wurde. Es arbeitet als N-Kanal-Depletionsgerät in einem TO-220-Oberflächengehäuse mit Durchgangsbohrung und bietet eine kompakte Lösung für die Leistungsumwandlung und Steuerung, bei der eine robuste Spannungsverarbeitung und thermische Spanne erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Drain-Source-Spannung von 850 V für Hochspannungsanwendungen • 6,5 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhafte Lasthandhabung • 0,305 Ω Rds minimiert Leitungsverluste unter Last • 34 W Verlustleistung unterstützt hohe thermische Budgets • 63 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltsteuerung • Betriebsbereich von ±150 °C/-55 °C bietet eine breite Temperaturbeständigkeit
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-DC/DC-Wandlerstufen in industriellen Systemen • Ideal für Inverter-Frontenden und Leistungsfaktor-Schaltkreise • Wird für Schaltnetzteile in Automatisierungsgeräten verwendet • Kann für Kfz-Leistungselektronik verwendet werden, die die AEC-Q101-Kriterien erfüllt • Wird mit Gate-Treibern verwendet, die definierte Ladecharakteristiken erfordern
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten bei der Konstruktion beachtet werden?
Das Gerät toleriert eine Gate-Exkursion bis zu 30 V
Designs sollten sicherstellen, dass Gate-Drive-Schaltkreise innerhalb dieser Grenze bleiben, um Gate-Oxid-Bestressung zu vermeiden.
Wie sollte das Wärmemanagement für einen zuverlässigen Betrieb implementiert werden?
Mit einer Verlustleistung von 34 W befestigen Sie einen geeigneten Kühlkörper an der TO‐220-Fahne und stellen Sie einen ausreichenden Luftstrom sicher, um die Sperrschichttemperaturen innerhalb sicherer Grenzen zu halten.
Welche Überlegungen gelten für Schaltverluste und Treiberauswahl?
Mit einer typischen Gate-Ladung von 63 nC wählen Sie einen Treiber, der in der Lage ist, die erforderlichen Spitzenströme zu liefern und zu senken, um die gewünschten Anstiegs-/Abfallzeiten zu erreichen und gleichzeitig Schaltverluste zu bewältigen.
Ist das Gerät für Qualifizierungsprozesse im Automobilbereich geeignet?
Er entspricht den AEC-Q101-Standards für Automobil-MOSFETs und eignet sich daher für Designs, die Komponenten in Automobilqualität erfordern.
Welche elektrische Polarität und welches Kanalverhalten sollten Entwickler erwarten?
Der Transistor ist ein N-Kanal-Depletion-Gerät, sodass die Schaltkreistopologie bei der Implementierung von Schaltvorgängen normal-ein oder normal-aus den Kanalmodus berücksichtigen muss.
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