Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 8.4 A 33 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 210-4963
Herst. Teile-Nr.:: SiHA186N60EF-GE3
Marke:: Vishay

Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 8.4 A 33 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Herst. Teile-Nr.:: SiHA186N60EF-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	8.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Gehäusegröße	TO-220
	Serie	EF
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	168mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	21nC
	Maximale Verlustleistung Pd	33W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Breite	9.7mm
	Länge	28.1mm
	Höhe	4.3mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Gehäusegröße TO-220
	Serie EF
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 168mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC
	Maximale Verlustleistung Pd 33W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Breite 9.7mm
	Länge 28.1mm
	Höhe 4.3mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SiHA186N60EF-GE3

Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 600 V Drain-Source-Spannung, 8,4 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SiHA186N60EF-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für die industrielle Leistungssteuerung und -umwandlung entwickelt wurde. Er funktioniert als Enhancement-Modus-Transistor für den Einsatz in Durchsteckmontagen und eignet sich für Anwendungen, die einen dauerhaften Betrieb über einen breiten Temperaturbereich erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Der Ablasswert von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 8,4 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme • 168 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last • Typische Gate-Ladung von 21 nC minimiert den Energiebedarf des Antriebs • Die Verlustleistung von 33 W ermöglicht eine gleichmäßige thermische Handhabung • Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C hält rauen thermischen Bedingungen stand

Anwendungen

• Geeignet für Hochspannungs-Schaltnetzteile • Ideal für industrielle Motorantriebs-Gate-Stufen • Wird für Netzfrequenzumrichter-Ausgangsstufen verwendet • Kann für Leistungsfaktorkorrekturschaltungen verwendet werden • Wird mit diskreten Stromversorgungen verwendet, die eine Durchsteckmontage erfordern

Welcher Gate-Spannungsbereich ist für die Schaltsteuerung sicher?

Das Gerät nimmt bis zu 30 V zwischen Gate und Quelle auf, daher sollten die Treiberstufen innerhalb dieses Bereichs begrenzt werden, um eine Überlastung des Gates zu vermeiden.

Wie wirkt sich die Gehäusewahl auf die Montage und das Wärmemanagement aus?

Das TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung erleichtert das Schrauben von Kühlkörpern und die einfache Leiterplattenmontage für eine effektive thermische Kopplung.

Welchen extremen Umgebungstemperaturen kann er standhalten?

Es arbeitet von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen thermischen Exkursionen.

Was sollte bei der Entwicklung eines Gleichstroms berücksichtigt werden?

Berücksichtigen Sie einen kontinuierlichen Ablassstrom von 8,4 A und eine Verlustleistung von 33 W, indem Sie eine angemessene Kühlung und einen thermischen Pfad zur Aufrechterhaltung sicherer Anschlusstemperaturen spezifizieren.

Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Treiberauswahl aus?

Eine typische Gate-Ladung von 21 nC hilft bei der Bestimmung der Treiberstrom- und Schaltgeschwindigkeitsanforderungen, um die gewünschten Anstiegs- und Abfallzeiten zu erreichen.