Vishay EF N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 8.4 A 33 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 210-4963
Herst. Teile-Nr.:: SiHA186N60EF-GE3
Marke:: Vishay

Vishay EF N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 8.4 A 33 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Herst. Teile-Nr.:: SiHA186N60EF-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	8.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Gehäusegröße	TO-220
	Serie	EF
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	168mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	21nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	33W
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	9.7mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Länge	28.1mm
	Höhe	4.3mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Gehäusegröße TO-220
	Serie EF
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 168mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 33W
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 9.7mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Länge 28.1mm
	Höhe 4.3mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SiHA186N60EF-GE3

Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 600 V Drain-Source-Spannung, 33 W maximale Verlustleistung – SiHA186N60EF-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schaltleistungsanwendungen entwickelt wurde, bei denen eine robuste Drain-to-Source-Leistung und eine kompakte Durchsteckmontage erforderlich sind. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Konstruktionen, die eine Sperrleistung von 600 V erfordern, von Standard-Gate-Spannungen angetrieben werden und auf herkömmlichen Kühlkörpern montiert werden.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltvorgänge in Leistungsstufen
• 8.4 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• 168 mΩ Rds(on) reduzieren Leitungsverluste bei Betriebsströmen
• Die Verlustleistung von 33 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung mit einem Kühlkörper
• Die typische Gate-Ladung von 21 nC sorgt für einen vorhersehbaren Schaltenergiebedarf
• Maximale Gate-Ansteuerung von 30 V ermöglicht gängige Gate-Ansteuerungsspannungen

Anwendungen

• Geeignet für Hochspannungs-Schaltnetzteile
• Ideal für industrielle Motorantriebsfrontenden Enden
• Wird für die Stromumwandlung in Wechselrichtern für erneuerbare Energien verwendet
• Kann für die Beleuchtung von Vorschaltgeräten und Lampen-Steuerkreisen verwendet werden
• Geeignet für Labor- und Prototyping-Durchsteckmontage

Für welchen Gate-Spannungsbereich sollte ich in Steuerschaltkreisen ausgelegt sein?

Halten Sie den Gate-Antrieb innerhalb einer Grenze von ±30 V gegenüber der Quelle, wobei das typische Schalten durch Gate-Spannungen von bis zu 30 V angetrieben wird, um einen sicheren Betrieb zu gewährleisten.

Wie wirkt sich das Wärmemanagement auf die Dauerstromfähigkeit aus?

Der kontinuierliche Ablassstrom hängt von der thermischen Beständigkeit gegenüber Umgebungsbedingungen ab

Die Verwendung eines Kühlkörpers, um die Sperrschichttemperatur unter 150 °C zu halten, hält die Nennleistung von 8,4 A aufrecht.

Ist dieses Gerät für Kfz-Systeme geeignet, die spezifische Zulassungen erfordern?

Es verfügt nicht über Zulassungen für die Automobilindustrie, sodass nicht angegeben werden sollte, wo für die Automobilindustrie zertifizierte Komponenten obligatorisch sind.

Welche Schaltüberlegungen ergeben sich aus dem Gate-Ladungswert?

Die Gate-Ladung von 21 nC definiert den erforderlichen Treiberstrom und die Schaltübergangszeiten

Plan-Treibergrösse, um Schaltverluste und Übergangsgeschwindigkeit auszugleichen.