Vishay E N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 35 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 188-4870
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHA100N60E-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 2.555 | CHF 127.97 |
| 100 - 200 | CHF 2.404 | CHF 120.29 |
| 250 + | CHF 2.172 | CHF 108.78 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-4870
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHA100N60E-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.1Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 33nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 35W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 4.7mm | |
| Länge | 10.3mm | |
| Höhe | 15.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.1Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 35W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 4.7mm | ||
Länge 10.3mm | ||
Höhe 15.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung 600 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom 12 A – SIHA100N60E-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Schalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben in Durchsteckmontagen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle Umgebungen geeignet ist, und ist für Anwendungen vorgesehen, die einen hohen Ablassstrom und eine erhöhte Ablass-Quellenspannung erfordern, während ein TO-220-Gehäuse für die herkömmliche Montage verwendet wird.
Merkmale und Vorteile:
• Die Ablassleistung von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 12 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 0,1 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Stromkreisen
• Die Verlustleistung von 35 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme bei Umgebungskühlung
• Eine typische Gate-Ladung von 33 nC ermöglicht eine kontrollierte Gate-Antriebsenergie
• Maximale Gate-Ansteuerung mit 30 V gewährleistet eine robuste Gate-Overdrive-Marge
• 12 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 0,1 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Stromkreisen
• Die Verlustleistung von 35 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme bei Umgebungskühlung
• Eine typische Gate-Ladung von 33 nC ermöglicht eine kontrollierte Gate-Antriebsenergie
• Maximale Gate-Ansteuerung mit 30 V gewährleistet eine robuste Gate-Overdrive-Marge
Anwendungen
• Geeignet für netzgebundene Schaltnetzteile
• Ideal für Hochspannungs-Motor-Wechselrichterstufen
• Verwendet mit diskreten Aufwärtswandler-Topologien
• Kann für industrielle Batterieladesysteme verwendet werden
• Geeignet für Leistungsfaktorkorrektur-Frontenden
• Ideal für Hochspannungs-Motor-Wechselrichterstufen
• Verwendet mit diskreten Aufwärtswandler-Topologien
• Kann für industrielle Batterieladesysteme verwendet werden
• Geeignet für Leistungsfaktorkorrektur-Frontenden
Was sind die thermischen Grenzwerte für den Dauerbetrieb?
Das Gerät kann zwischen -55 °C und 150 °C betrieben werden und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit niedrigen und hohen Temperaturen mit einem geeigneten Wärmemanagement.
Welche Verpackungs- und Montagetechnik wird verwendet?
Er wird in einem TO‐220-Gehäuse geliefert, das für die Durchsteckmontage ausgelegt ist und die Befestigung des Kühlkörpers und eine zuverlässige mechanische Befestigung erleichtert.
Welche Gate-Drive-Beschränkungen müssen beachtet werden?
Die Gate-to-Source-Spannung darf 30 V nicht überschreiten, daher sollten Gate-Treiber so ausgewählt werden, dass die Vgs während des Schaltvorgangs innerhalb dieser Grenze gehalten werden.
Wie wirkt sich die Durchlassspannung auf das Schaltungsdesign aus?
Bei einer Durchlassspannung von 1,2 V sollten Konstrukteure diesen Abfall bei der Berechnung von Leitungsverlusten und thermischer Belastung in seriellen oder synchronen Konfigurationen berücksichtigen.
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