Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 35 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 188-4870
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHA100N60E-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 188-4870
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHA100N60E-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.1Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 33nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 35W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 15.3mm | |
| Länge | 10.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 4.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.1Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 35W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 15.3mm | ||
Länge 10.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 4.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung 600 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom 12 A – SIHA100N60E-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für das Schalten und die Leistungssteuerung in anspruchsvollen elektrischen Systemen entwickelt wurde. Es arbeitet als Enhancement-Modus-Gerät und wird in einem TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung mit drei Pins für eine einfache Leiterplattenmontage geliefert. Die Komponente ist für den Einsatz vorgesehen, bei dem eine robuste Spannungsverarbeitung und eine praktische Montage erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 12 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• 0,1 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Typische Gate-Ladung von 33 nC ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Die Verlustleistung von 35 W ermöglicht eine erhebliche thermische Belastung
• Maximale Betriebstemperatur von 150 °C unterstützt den Einsatz bei erhöhter Temperatur
• 12 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• 0,1 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Typische Gate-Ladung von 33 nC ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Die Verlustleistung von 35 W ermöglicht eine erhebliche thermische Belastung
• Maximale Betriebstemperatur von 150 °C unterstützt den Einsatz bei erhöhter Temperatur
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-Motorantriebsstufen in Automatisierungsanlagen
• Ideal für Schaltnetzteile, die mit erhöhten Spannungen umgehen
• Wird für industrielle Wechselrichter- und Wandler-Schaltelemente verwendet
• Kann für Relais- und Schütztreiberkreise in Schalttafeln verwendet werden
• Ideal für Schaltnetzteile, die mit erhöhten Spannungen umgehen
• Wird für industrielle Wechselrichter- und Wandler-Schaltelemente verwendet
• Kann für Relais- und Schütztreiberkreise in Schalttafeln verwendet werden
Welche Befestigungsmethode ist für eine zuverlässige Installation erforderlich?
Das Gerät verwendet eine Durchsteckmontage in einem TO-220-Gehäuse, das eine sichere mechanische und thermische Verbindung bietet, wenn es auf eine Leiterplatte gelötet und optional über die Verpackungslasche an einen Kühlkörper verschraubt wird.
Wie wirkt sich der Gate-Spannungsbereich auf die Gestaltung von Steuerkreisen aus?
Die maximale Gate-Source-Nennspannung beträgt 30 V, sodass Gate-Antriebe innerhalb dieser Grenze bleiben sollten und in der Regel mit gängigen Logikpegel-Spannungen arbeiten, die mit der N-Kanal-Steuerung im Enhancement-Modus kompatibel sind.
Welche extremen Umgebungstemperaturen kann es während des Betriebs tolerieren?
Er ist für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in industriellen Umgebungen mit niedrigen und hohen Temperaturen.
Gibt es gesetzliche oder materielle Bestimmungen für die Entsorgung oder Wiederverwendung?
Die Komponente entspricht der RoHS-Richtlinie, was auf die eingeschränkte Verwendung bestimmter gefährlicher Stoffe bei der Herstellung hinweist.
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