Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 30 A 35 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

CHF.166.45

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 50CHF.3.329CHF.166.32
100 - 200CHF.3.129CHF.156.35
250 +CHF.2.825CHF.141.33

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
188-4870
Herst. Teile-Nr.:
SIHA100N60E-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

E

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.1Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Verlustleistung Pd

35W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

33nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4.7 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.3mm

Höhe

15.3mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET der Serie E.

Technologie der 4. Generation der E-Serie

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er))

ANWENDUNGEN

Server- und Telekommunikations-Netzteile

Schaltnetzteile (SNT)

Netzteile für Leistungsfaktorkorrektur (PFC)

Verwandte Links