Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 35 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 279-9909
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHF085N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | EF | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.084Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 35W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie EF | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.084Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 35W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
EF-MOSFET der Serie Vishay, 600 V Drain-Source-Spannung, 13 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHF085N60EF-GE3
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung in industriellen und elektronischen Systemen entwickelt wurde. Es wird in einem TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das eine einfache Montage und ein einfaches Wärmemanagement ermöglicht, und ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen eine robuste Spannungsbeständigkeit und eine hohe Strombelastbarkeit erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 13 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme • 0,084 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last • 35 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme • Die Gate-Toleranz von ±30 V ermöglicht große Antriebsspannungsbereiche • 63 nC typische Gate-Ladung sorgt für vorhersehbares Schaltverhalten
Anwendungen
• Geeignet für industrielle Motorantriebsschaltstufen • Ideal für Stromversorgungen und Hochspannungswandler • Wird für Wechselrichter- und USV-Stromschaltmodule verwendet • Kann für die induktive Laststeuerung in Automatisierungssystemen verwendet werden
In welchem Temperaturbereich kann das Gerät betrieben werden?
Es ist für den Betrieb von -55 °C bis maximal 150 °C ausgelegt, was den Einsatz in Umgebungen mit erhöhten Temperaturen ermöglicht.
Wie viele Stifte hat die Komponente und wie ist die Befestigung?
Er verfügt über drei Stifte und ist für die Durchsteckmontage konfiguriert, um die sichere Befestigung der Leiterplatte und die Verbindung mit dem Kühlkörper zu erleichtern.
Welche Gehäuseform und Leistungsaufnahme sollten bei der Montage eines Kühlkörpers erwartet werden?
Das TO-220-Gehäuse mit einer maximalen Verlustleistung von 35 W eignet sich für den Anschluss an einen Kühlkörper für eine verbesserte thermische Leistung im Dauerbetrieb.
Entspricht dieses Gerät den gängigen Umweltbeschränkungen?
Er erfüllt die RoHS-Anforderungen, was die Einhaltung der spezifizierten Grenzwerte für gefährliche Stoffe anzeigt.
Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf das Schaltdesign aus?
Eine typische Gate-Ladung von 63 nC hilft bei der Bestimmung der Treiberstromanforderungen und der Schaltübergangszeiten für ein effizientes Gate-Drive-Design.
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