Vishay SIHF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 14 A 39 W, 3-Pin SIHF074N65E-GE3 TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.8.684

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 999 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9CHF.8.68
10 - 24CHF.8.52
25 - 99CHF.8.33
100 +CHF.8.18

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
279-9907
Herst. Teile-Nr.:
SIHF074N65E-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

SIHF

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.079Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Verlustleistung Pd

39W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

10.1mm

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein Leistungs-MOSFET der Serie E, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.

Technologie der 4. Generation der E-Serie

Niedrige Kennzahl (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität

Avalanche-Energie-Nennwert

Geringere Schalt- und Leitungsverluste

Verwandte Links