Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 6.4 A 62.5 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 200-6829
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHD690N60E-GE3
- Marke:
- Vishay
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|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.1.04 | CHF.26.09 |
| 50 - 100 | CHF.0.987 | CHF.24.76 |
| 125 - 225 | CHF.0.966 | CHF.24.10 |
| 250 - 600 | CHF.0.935 | CHF.23.47 |
| 625 + | CHF.0.914 | CHF.22.89 |
*Richtpreis
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- 200-6829
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHD690N60E-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 700mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 700mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay SIHD690N60E-GE3 ist ein Leistungs-MOSFET der Serie E.
Technologie der 4. Generation der E-Serie
Niedrige Leistungszahl
Niedrige effektive Kapazität
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Lawinenenergie (UIS)
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