Vishay SIHB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 850 V / 5 A 62.5 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 268-8294
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB6N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 268-8294
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB6N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 850V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | SIHB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.95Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 850V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie SIHB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.95Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay hat niedrige Schalt- und Leitungsverluste und wird in Anwendungen wie Schaltnetzteilen, Servernetzteilen und Leistungsfaktorkorrekturnetzteilen eingesetzt. Sie verfügt über eine integrierte Zenerdiode für ESD-Schutz.
Niedrige effektive Kapazität
Lawinen-Nennstrom
Geringe Leistungsfähigkeit
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