Vishay SIHB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 34 A 184 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
268-8291
Herst. Teile-Nr.:
SIHB085N60EF-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

34A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

SIHB

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.084Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

184W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

63nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

MOSFET der SIHB-Serie von Vishay, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 34 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHB085N60EF-GE3


Dieser Hochspannungs-N-Kanal-MOSFET wurde für die Leistungsschaltung in anspruchsvollen industriellen und elektronischen Systemen entwickelt. Er funktioniert als Enhancement-Modus-Transistor, der für die Oberflächenmontage in Anwendungen geeignet ist, die eine robuste Spannungsverarbeitung und eine hohe thermische Toleranz erfordern. Das Gerät unterstützt herkömmliche Gate-Antriebsstufen und ist für den Einsatz vorgesehen, bei dem eine kontrollierte Leitungsführung und ein schnelles Umschalten erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:


• 650 V Ablasswert für Hochspannungsschaltfähigkeit
• 34 A kontinuierlicher Ablassstrom für den Betrieb unter hoher Last
• 0,084 Ω Rds(on) minimiert Leitungsverluste in Schaltkreisen
• Die Verlustleistung von 184 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 63 nC typische Gate-Ladung zur Optimierung der Schaltleistung
• Gate-Toleranz von 30 V unterstützt Standard-Gate-Drive-Spannungen

Anwendungen


• Geeignet für Hochspannungs-SMPS-Schaltung auf der Primärseite
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Wechselrichterstufen
• Wird für die Leistungsfaktorkorrektur von Front-End-Schaltern verwendet
• Kann für Hochspannungsrelais- und Schütztreiberkreise verwendet werden

In welchem Temperaturbereich kann das Gerät betrieben werden?


Er ist für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu maximal 150 °C ausgelegt, was den Einsatz in breiten thermischen Umgebungen ermöglicht.

Wie eignet sich die Verpackung für Montageprozesse?


Das Gerät wird in einem oberflächenmontierten TO-263-Gehäuse mit drei Stiften geliefert, das die automatische Lötmontage und das Wärmemanagement auf Stromversorgungsplatinen erleichtert.

Wie hoch ist die Grenze der Gate-Antriebsanforderungen?


Die maximale zulässige Gate-to-Source-Spannung beträgt 30 V, sodass Gate-Drive-Schaltkreise so konzipiert sein sollten, dass sie innerhalb dieses Schwellenwerts bleiben.

Entspricht die Komponente Umweltrichtlinien?


Er entspricht den RoHS-Anforderungen und weist darauf hin, dass in seiner Konstruktion bestimmte eingeschränkte Stoffe nicht enthalten sind.

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