Vishay SIHG Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 34 A 184 W, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 268-8297
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG085N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.5.818
Auf Lager
- Zusätzlich 500 Einheit(en) mit Versand ab 20. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | CHF.5.82 |
| 5 - 9 | CHF.5.70 |
| 10 - 99 | CHF.5.23 |
| 100 - 499 | CHF.4.29 |
| 500 + | CHF.3.66 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 268-8297
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG085N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 34A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SIHG | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.084Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 184W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 15.7mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 34A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SIHG | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.084Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 184W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 15.7mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET der Serie EF von Vishay mit einer schnellen Gehäusediode mit reduzierten Schalt- und Leitungsverlusten wird in Anwendungen wie Schaltnetzteilen, Servernetzteilen und Netzteilen mit Leistungsfaktorkorrektur eingesetzt.
Niedrige effektive Kapazität
Lawinen-Nennstrom
Geringe Leistungsfähigkeit
Verwandte Links
- Vishay SIHG Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 34 A 184 W, 3-Pin TO-247AC
- Vishay SIHG Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 22 A 179 W, 3-Pin TO-247AC
- Vishay SIHG Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 21 A 179 W, 3-Pin TO-247AC
- Vishay SIHB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 34 A 184 W, 3-Pin TO-263
- Vishay SIHP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 34 A 184 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay SF Series N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 64 A 520 W, 3-Pin TO-247AC
- Vishay E Series N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 208 W, 3-Pin TO-247AC
- Vishay SF Series N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 46 A 403 W, 3-Pin TO-247AC