Vishay SIHG Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 22 A 179 W, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 268-8298
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG150N60E-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 25 Stück)*
CHF.76.00
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | CHF.3.04 | CHF.75.93 |
| 100 - 475 | CHF.2.485 | CHF.62.17 |
| 500 - 975 | CHF.2.121 | CHF.53.01 |
| 1000 + | CHF.1.909 | CHF.47.75 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 268-8298
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG150N60E-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 22A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Serie | SIHG | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.158Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 15.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Serie SIHG | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.158Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 15.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay reduziert Schalt- und Leitungsverluste und wird in Anwendungen wie Schaltnetzteilen, Servernetzteilen und Leistungsfaktorkorrekturnetzteilen eingesetzt.
Niedrige effektive Kapazität
Lawinen-Nennstrom
Geringe Leistungsfähigkeit
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