Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 850 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 228-2851
Herst. Teile-Nr.:: SiHD5N80AE-GE3
Marke:: Vishay

Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 850 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 228-2851
Herst. Teile-Nr.:: SiHD5N80AE-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	4.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	850V
	Serie	E
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.35Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	62.5W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	11nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 850V
	Serie E
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.35Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 62.5W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SiHD5N80AE-GE3

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 850 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 4,4 A – SiHD5N80AE-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Schalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Er wird in einem kompakten TO-252-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert und eignet sich für Anwendungen, die eine robuste Spannungsbeständigkeit und eine moderate Dauerstromfähigkeit in einem kleinen Platzbedarf erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Die Drain-Toleranz von 850 V ermöglicht die Integration von Hochspannungssystemen • 4,4 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt mäßiges Lastschalten • 1,35 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last • 11 nC typische Gate-Ladung ermöglicht effizientes Gate-Drive-Design • 62,5 W Verlustleistung verwaltet thermische Belastung in kompakten Layouts • Maximale Sperrschichttemperatur von 150 °C für den Betrieb bei hohen Temperaturen

Anwendungen

• Geeignet für SMPS und Wandler in industriellen Steuerungssystemen • Ideal für Flyback- und Boost-Topologien in Stromversorgungen • Wird für die Schaltung auf der Leitungsseite in LED-Treibern und Beleuchtungssteuerungen verwendet • Kann für Hochspannungs-Vorregelungsstufen in Akkuladegeräten verwendet werden

Welche Gate-Drive-Grenzwerte sollten für einen sicheren Betrieb beachtet werden?

Die Gate-Source-Spannung darf 30 V nicht überschreiten, um die Gate-Dielektrische Belastung während der Schaltübergänge zu vermeiden.

Wie wirkt sich die thermische Spanne auf die Wahl des Leiterplattenlayouts aus?

Mit einer Verlustleistung von 62,5 W und einer hohen Verbindungsleistung sollten die Entwickler eine ausreichende Kupferfläche oder Wärmeleitungen bereitstellen, um die Wärme aus dem TO-252-Massemuster zu entfernen.

Ist dieses Gerät für Kfz-Systeme geeignet?

Es ist nicht spezifiziert für den Einsatz im Automobilstandard und sollte nicht ausgewählt werden, wo eine Kfz-Qualifizierung obligatorisch ist.

Welche Schaltkompromisse ergeben sich aus der Gate-Ladeziffer?

Die 11-nC-Gate-Ladung sorgt für ein Gleichgewicht zwischen Schaltgeschwindigkeit und Antriebsenergie und erfordert eine Gate-Treibergröße für die gewünschte Anstiegs-/Abfallzeit und die Schaltfrequenz.