Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 850 V / 8 A 78 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 228-2849
Herst. Teile-Nr.:: SIHD11N80AE-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 850 V / 8 A 78 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 228-2849
Herst. Teile-Nr.:: SIHD11N80AE-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	8A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	850V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	E
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	450mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	78W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	28nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 850V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie E
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 450mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 78W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHD11N80AE-T1-GE3

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 850 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 8 A – SIHD11N80AE-T1-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für Oberflächenmontageanwendungen in industriellen Stromversorgungsdesigns vorgesehen ist. Es arbeitet als Enhancement-Mode-Gerät und eignet sich für Schaltkreise, die eine hohe Drain-to-Source-Spannungskapazität und eine moderate Dauerstrombelastbarkeit in Umgebungen mit erhöhten Temperaturen erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Maximale Drain-Source-Spannung von 850 V ermöglicht Hochspannungs-Schaltanwendungen • 8 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastantriebsanforderungen • 450 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Hochspannungsstromkreisen • Maximale Verlustleistung von 78 W ermöglicht einen höheren thermischen Kopfraum • 30-V-Gate-Toleranz ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen • 28 nC typische Gate-Ladung unterstützt vorhersehbare Schaltleistung

Anwendungen

• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler • Ideal für industrielle Motorantriebs-Frontenden • Wird für elektronische Vorschaltgeräte und Beleuchtungssteuerungen verwendet • Kann für Energiemanagement- und Stromaufbereitungsmodule verwendet werden • Geeignet für Wechselrichterstufen mit mittlerer Leistung in Automatisierungssystemen

Welches Montageformat verwendet es für die Leiterplattenmontage?

Es wird in einem TO-252-Gehäuse für die Oberflächenmontage mit drei Stiften für das Löten auf Leiterplatten geliefert.

Welchem Temperaturbereich hält es im Betrieb stand?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis maximal 150 °C ausgelegt.

Wie wirkt sich seine Gate-Charakteristik auf das Schaltdesign aus?

Die typische Gate-Ladung von 28 nC am Nenn-Gate-Antrieb informiert über Schätzungen des Antriebsstroms und des Schaltverlusts für die Auswahl des Gate-Treibers.

Wie hoch ist die maximale Dauerleistung, die das Gerät ableiten kann?

Das Gerät kann unter geeigneten Wärmemanagementbedingungen bis zu 78 W ableiten.