Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 850 V / 8 A 78 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 228-2849
Herst. Teile-Nr.:: SIHD11N80AE-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 850 V / 8 A 78 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 228-2849
Herst. Teile-Nr.:: SIHD11N80AE-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	8A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	850V
	Serie	E
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	450mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	28nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	78W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 850V
	Serie E
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 450mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 78W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHD11N80AE-T1-GE3

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 850 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 8 A – SIHD11N80AE-T1-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Leistungsschaltfunktionen in oberflächenmontierten Anwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Umgebungsbereich und eignet sich für Schaltkreise, die eine hohe Drain-Source-Spannungskapazität und eine geringe Dauerstrombelastbarkeit erfordern. Das Gerät wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert und ist RoHS-konform.

Merkmale und Vorteile:

• 850 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 8 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• 450 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Maximale Verlustleistung von 78 W bewältigt erhebliche thermische Belastungen
• Die Gesamt-Gate-Ladung von 28 nC ermöglicht schnellere Gate-Übergänge
• Der Vorwärtsdiodenabfall von 1,2 V minimiert die Verluste durch Verpolung

Anwendungen

• Wird für Hochspannungs-Schaltwandler und Wechselrichter verwendet
• Geeignet für industrielle Stromversorgungen und Hilfsschienen
• Ideal für Halbbrücken- und Schaltmodus-Topologien
• Kann für Gate-Stufen mit Motorantrieb mit geringem Strom verwendet werden
• Einsatz mit diskreten Stromverwaltungsplatinen in Verbrauchergeräten

Für welchen Gate-Drive-Spannungsbereich sollte ich es entwerfen?

Das Gerät toleriert bis zu 30 V zwischen Gate und Quelle

Gate-Treiber innerhalb dieser Grenze entwerfen und geeignete Antriebsspannungen für die Schaltgeschwindigkeit und die sicheren Grenzen auswählen.

Wie wirkt sich die Temperatur auf den Betrieb des Geräts aus?

Ausgelegt für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C, bestimmt die thermische Leistung die zulässigen Einschaltzyklen und kann einen Kühlkörper oder Leiterplatten-Thermowellen erfordern, um die Sperrschichttemperaturen bei hoher Verlustfrequenz aufrechtzuerhalten.

Welche Befestigungs- und Anordnungsaspekte sind wichtig?

Als oberflächenmontiertes TO-252-Gehäuse sorgen Sie für eine ausreichende Kupferfläche für die Wärmeverteilung und kurze, niedrige Induktivitätsschienen für Ablass und Quelle, um die thermische Leistung und die Schaltleistung zu verbessern.

Wie wirkt sich der Kanaltyp auf das Schaltungsdesign aus?

Der N-Kanal-Verbesserungsmodus erfordert zur Leitung eine positive Gate-to-Source-Spannung, sodass die Gate-Treiber-Polarität und der Pegel entsprechend in der Steuerschaltung angegeben werden sollten.