Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 8 A 78 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 210-4979
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHD11N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SIHD11N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | E | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 391mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 78W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.4mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 2.2mm | |
| Länge | 9.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie E | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 391mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 78W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.4mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 2.2mm | ||
Länge 9.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 800 V Drain-Source-Spannung, 78 W Verlustleistung – SIHD11N80AE-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsumwandlungs- und Schaltanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen sehr breiten Temperaturbereich und ist für anspruchsvolle Umgebungen ausgelegt, in denen eine hohe Ablass-Quellenspannung und eine moderate Strombelastbarkeit erforderlich sind, während er gleichzeitig den RoHS-Beschränkungen entspricht.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 800 V Drain-Source ermöglicht Hochspannungstopologien
• 8 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Stromkreise
• 391 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei Nennstrom
• Maximale Verlustleistung von 78 W ermöglicht ein hohes Wärmemanagement
• 28 nC typische Gate-Ladung sorgt für vorhersehbare Schaltenergie
• 30-V-Gate-Schwellwert für Standard-Gate-Drive-Spannungen
• 8 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Stromkreise
• 391 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei Nennstrom
• Maximale Verlustleistung von 78 W ermöglicht ein hohes Wärmemanagement
• 28 nC typische Gate-Ladung sorgt für vorhersehbare Schaltenergie
• 30-V-Gate-Schwellwert für Standard-Gate-Drive-Spannungen
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-Schaltnetzteile
• Ideal für Halbbrücken- und Aufwärtswandlerstufen
• Wird mit industriellen Motorantriebs-Frontenden verwendet
• Kann für die Offline-Ladegerät- und Beleuchtungssteuerung verwendet werden
• Geeignet für Telekommunikations- und Stromverteilungsmodule
• Ideal für Halbbrücken- und Aufwärtswandlerstufen
• Wird mit industriellen Motorantriebs-Frontenden verwendet
• Kann für die Offline-Ladegerät- und Beleuchtungssteuerung verwendet werden
• Geeignet für Telekommunikations- und Stromverteilungsmodule
Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird verwendet?
Er wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist, um die thermische Kopplung mit Leiterplattenkupfer zu erleichtern.
Welchem Temperaturbereich kann er während des Betriebs standhalten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz unter rauen Temperaturbedingungen.
Wie wirkt sich die Durchlassspannung auf die Leistungsverlustberechnung aus?
Eine Durchlassspannung von 1,2 V sollte bei der Schätzung von Leitungs- und Schaltverlusten in Diodenleitintervallen und synchronen Anordnungen berücksichtigt werden.
Welche Gate-Drive-Einschränkungen müssen beachtet werden?
Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 30 V, sodass Gate-Treiber und Schutzvorrichtungen Ausbrüche ausserhalb dieses Wertes verhindern müssen.
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