Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 8 A 78 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 210-4978
Herst. Teile-Nr.:: SIHD11N80AE-GE3
Marke:: Vishay

Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 8 A 78 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 210-4978
Herst. Teile-Nr.:: SIHD11N80AE-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	8A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	800V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	E
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	391mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Maximale Verlustleistung Pd	78W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	28nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	2.2mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Breite	6.4mm
	Länge	9.4mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 800V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie E
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 391mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Maximale Verlustleistung Pd 78W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 2.2mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Breite 6.4mm
	Länge 9.4mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHD11N80AE-GE3

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 800 V Drain-Source-Spannung, 78 W Verlustleistung – SIHD11N80AE-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsumwandlungs- und Schaltanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen sehr breiten Temperaturbereich und ist für anspruchsvolle Umgebungen ausgelegt, in denen eine hohe Ablass-Quellenspannung und eine moderate Strombelastbarkeit erforderlich sind, während er gleichzeitig den RoHS-Beschränkungen entspricht.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 800 V Drain-Source ermöglicht Hochspannungstopologien
• 8 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Stromkreise
• 391 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei Nennstrom
• Maximale Verlustleistung von 78 W ermöglicht ein hohes Wärmemanagement
• 28 nC typische Gate-Ladung sorgt für vorhersehbare Schaltenergie
• 30-V-Gate-Schwellwert für Standard-Gate-Drive-Spannungen

Anwendungen

• Geeignet für Hochspannungs-Schaltnetzteile
• Ideal für Halbbrücken- und Aufwärtswandlerstufen
• Wird mit industriellen Motorantriebs-Frontenden verwendet
• Kann für die Offline-Ladegerät- und Beleuchtungssteuerung verwendet werden
• Geeignet für Telekommunikations- und Stromverteilungsmodule

Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird verwendet?

Er wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist, um die thermische Kopplung mit Leiterplattenkupfer zu erleichtern.

Welchem Temperaturbereich kann er während des Betriebs standhalten?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz unter rauen Temperaturbedingungen.

Wie wirkt sich die Durchlassspannung auf die Leistungsverlustberechnung aus?

Eine Durchlassspannung von 1,2 V sollte bei der Schätzung von Leitungs- und Schaltverlusten in Diodenleitintervallen und synchronen Anordnungen berücksichtigt werden.

Welche Gate-Drive-Einschränkungen müssen beachtet werden?

Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 30 V, sodass Gate-Treiber und Schutzvorrichtungen Ausbrüche ausserhalb dieses Wertes verhindern müssen.