Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 8 A 78 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 653-140
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP11N80AEF-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | EF | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.483Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 78W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie EF | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.483Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 78W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 800 V Drain-Source-Spannung, 8 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHP11N80AEF-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schaltgerät, das für den Einsatz in industriellen Leistungsumwandlungs- und Steuerungssystemen entwickelt wurde. Er arbeitet als N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor in einem TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung und bietet eine praktische Option für Ingenieure, die eine diskrete Komponente für die Montage auf Platinenebene und das Wärmemanagement in anspruchsvollen Umgebungen benötigen.
Merkmale und Vorteile:
• 800 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 8 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung moderater Lastströme • Rds(on) 0,483 Ω reduziert Leitungsverluste unter Last • 78 W Verlustleistung für effektives Wärmemanagement • 27 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltdynamik • Maximale Betriebstemperatur von 150 °C für den Einsatz bei erhöhten Temperaturen
Anwendungen
• Geeignet für industrielle Motorantriebs-Frontenden, die Hochspannung bewältigen • Ideal für Stromversorgungen, die Hochspannungsschaltelemente erfordern • Wird für Wechselrichterstufen in elektrischen Systemen mit mittlerer Leistung verwendet • Kann für Brems- und Drosselstromkreise in Automatisierungsanlagen verwendet werden
Welcher Gate-Spannungsbereich sollte für einen sicheren Betrieb beachtet werden?
Das Gerät erfordert Gate-Exkursionen innerhalb von maximal ±30 V in Bezug auf seine Quelle, um eine Gate-Überspannung zu vermeiden.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf das Wärmemanagement auf einer belegten Platine aus?
Das Durchsteckformat TO-220AB ermöglicht eine direkte Kühlung an der hinteren Lasche, verbessert die Leitung zu einem externen Kühlkörper und hilft bei der Beseitigung von 78 W verlustbarer Leistung unter geeigneter Kühlung.
Welche Umgebungsbedingungen begrenzen den Einsatz?
Die Komponente ist für den Betrieb bis zu einer Sperrschichttemperatur von -55 °C und bis zu 150 °C ausgelegt
muss das thermische Design des Systems sicherstellen, dass die Sperrschichttemperaturen unter der Grenze von 150 °C bleiben.
Welche Schaltbeachtung ergibt sich aus der Gate-Ladeziffer?
Eine typische Gate-Ladung von 27 nC ermöglicht es den Entwicklern, den Antriebsstrombedarf und die Schaltverluste bei der Auswahl eines Gate-Treibers zu schätzen und das Ein-/Ausschalt-Timing vorherzusagen.
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