Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 8 A 78 W, 3-Pin TO-247AC

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für leistungselektronische Aufgaben entwickelt wurde, bei denen eine robuste Spannungsverarbeitung und Durchsteckmontage erforderlich sind. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Transistor, der sich für Anwendungen eignet, die einen hohen Drain-to-Source-Ausbruch und herkömmliche Gate-Drive-Anordnungen erfordern. Das Gehäuse unterstützt die Montage von Leitungen und ist für die industrielle und elektronische Systemintegration vorgesehen.

• 800 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 8 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt einen moderaten Lastdurchsatz • 0,483 Ω Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last • 41 nC-Gate-Ladung reduziert den Schaltenergie- und Antriebsbedarf • 78 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung • Maximaler Gate-Antrieb von 30 V bewahrt die Integrität der Gate-Isolierung

• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler • Ideal für Motorantriebs-Wechselrichterstufen in industriellen Steuerungen • Wird für Schaltelektronik und Wandler verwendet • Kann für PFC- und Boost-Regler-Designs mit mittlerer Leistung verwendet werden

Er ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 150 °C ausgelegt und eignet sich für Umgebungen mit Kaltstart und erhöhter Temperatur.

Es wird in einem TO-247AC-Gehäuse mit Durchgangsbohrung mit drei Stiften für eine sichere Befestigung der Leiterplatte und eine Kühlkörpermontage geliefert.

Die Gate-zu-Quelle-Spannung darf 30 V nicht überschreiten, um eine Beschädigung des Gate-Dielektrikums zu vermeiden.

Die Verlustleistung von 78 W erfordert geeignete Wärmeableitungs- und thermische Schnittstellenpraktiken, um die Sperrschichttemperaturen innerhalb der vorgegebenen Grenzen zu halten.