Vishay Einfach E Typ N-Kanal MOSFET 650 V / 47 A 417 W TO-247AC

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RS Best.-Nr.:
180-7345
Herst. Teile-Nr.:
SIHG47N65E-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

47A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

E

Gehäusegröße

TO-247AC

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.072Ω

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

417W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

273nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Transistor-Konfiguration

Einfach

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der Vishay N-Kanal TO-247AC-3 MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 650 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 30 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 72 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 417 W und einen Dauerstrom von 47 A. Er hat eine Antriebsspannung von 10 V. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Niedrige Leistungszahl (FOM) Ron x Qg.

• Niedrige Eingangskapazität (Ciss)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• Reduzierte Schalt- und Leitungsverluste

• Sehr niedrige Gate-Ladung (Qg)

Anwendungen


• Akkuladegeräte

• Leuchtstoff-Vorschaltbeleuchtung

• Stark Intensitätsentladung (HID)

• Motortreiber

• Netzteile mit Leistungsfaktorkorrektur (PFC)

• Erneuerbare Energien

• Server- und Telekommunikationsnetzteile

• Solar-PV-Wechselrichter

• Schaltnetzteile (SMPS)

Zertifizierungen


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• UIS-geprüft

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