Vishay SIHP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 21 A 179 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 279-9925
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP155N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
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- 279-9925
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- SIHP155N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | SIHP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.157Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie SIHP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.157Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der SIHP-Serie von Vishay, 600 V Drain-Source-Spannung, 21 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHP155N60EF-GE3
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung in industriellen und elektronischen Steuerungsumgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Gerät in einem TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung und bietet eine robuste Leistungsaufnahme für Anwendungen, die eine erhebliche Ablassquellenspannung und thermische Beständigkeit erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 600 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• 21 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhöhte Lastströme
• Niedrige Rds(on) von 0,157 Ω reduziert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 179 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Typische Gate-Ladung von 38 nC ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C eignet sich für raue Temperaturbedingungen
• 21 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhöhte Lastströme
• Niedrige Rds(on) von 0,157 Ω reduziert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 179 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Typische Gate-Ladung von 38 nC ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C eignet sich für raue Temperaturbedingungen
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Ideal für Motorantriebsschaltkreise in der industriellen Automatisierung
• Verwendet für Schaltelektronik in der Beleuchtungssteuerung
• Kann für Wechselrichterstufen in industriellen Geräten verwendet werden
• Wird mit Wärmemanagementsystemen in Stromversorgungsbaugruppen verwendet
• Ideal für Motorantriebsschaltkreise in der industriellen Automatisierung
• Verwendet für Schaltelektronik in der Beleuchtungssteuerung
• Kann für Wechselrichterstufen in industriellen Geräten verwendet werden
• Wird mit Wärmemanagementsystemen in Stromversorgungsbaugruppen verwendet
Welche Überlegungen sind für eine zuverlässige Schaltung erforderlich?
Die Gate-Toleranz beträgt maximal ±30 V, sodass Gate-Treiber diese Grenze einhalten und genügend Treiberstrom liefern sollten, um die typische Gate-Ladung von 38 nC für kontrollierte Schaltgeschwindigkeiten zu laden.
Wie sollte das Wärmemanagement für einen kontinuierlichen Betrieb organisiert werden?
Mit einer maximalen Verlustleistung von 179 W und einer TO-220-Montage befestigen Sie das Gerät an einem geeigneten Kühlkörper und sorgen Sie für einen ausreichenden Luftstrom, um die Sperrschichttemperaturen im Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C aufrechtzuerhalten.
Welche elektrischen Grenzwerte müssen bei der Konstruktion beachtet werden?
Der Transistor darf nicht Ablass-Quellenspannungen über 600 V oder kontinuierlichen Ablassströmen über 21 A ausgesetzt werden, um eine Überschreitung der Gerätemesswerte zu vermeiden.
Welches Gehäuse und welche Montageart verwendet das Gerät für die Leiterplatten- oder Chassisintegration?
Es wird in einem TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung mit drei Stiften geliefert, das eine sichere Chassismontage und einen einfachen Austausch in älteren Designs ermöglicht.
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