Vishay SIHP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 22 A 179 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 268-8320
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP150N60E-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 22A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | SIHP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.158Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie SIHP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.158Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET der SIHP-Serie von Vishay, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 22 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHP150N60E-GE3
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für Leistungsumwandlungs- und Steuerungsaufgaben in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Transistor in einem TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung und ist für Installationen vorgesehen, bei denen ein robustes Wärmemanagement und eine wartungsfreundliche Montage erforderlich sind. Die Komponente unterstützt den Betrieb bei erhöhten Temperaturen und ist für den Einsatz in Schaltkreisen vorgesehen, die eine kontrollierte gate-gesteuerte Schaltung bei hohen Drain-Source-Spannungen erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 650 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 22 A kontinuierlicher Ablassstrom für erhebliche Lastverarbeitung • 0,158 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste im eingeschalteten Zustand • 179 W Verlustleistung für höhere thermische Belastbarkeit • 36 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbares Schaltverhalten • Gate-Toleranz ±30 V ermöglicht flexible Gate-Drive-Margen
Anwendungen
• Geeignet für industrielle Motorwechselrichterstufen, die hohe Vds erfordern • Ideal für Schaltnetzteile mit hohen Eingangsspannungen • Wird für die Front-End-Stromversorgungsschaltung in Automatisierungsantriebsmodulen verwendet • Kann zum Austausch von Relais in Hochspannungs-Steuerschaltkreisen verwendet werden • Wird mit diskreten Stromversorgungen verwendet, die eine Durchsteckmontage erfordern
Welche extremen Temperaturen kann das Gerät im Betrieb tolerieren?
Er ist für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Kaltstart- und Hochtemperaturumgebungen.
Welche Verpackungsaspekte beeinflussen die Kühlkörper und die Montage?
Das Durchstecklochformat des TO-220AB bietet eine Metallrückplatte für die direkte Befestigung an Kühlkörpern und eine einfache Schalttafelmontage für eine effektive Wärmeableitung.
Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Schaltleistung aus?
Eine typische Gate-Ladung von 36 nC bestimmt die pro Übergang erforderliche Antriebsenergie und wirkt sich auf Schaltverluste und die Größe des Gate-Treibers aus.
Gibt es Grenzen für die Gate-Treiber-Spannung, die ich beachten sollte?
Die angegebene maximale Gate-Source-Spannung beträgt 30 V, was die sichere Amplitude für Gate-Drive-Wellenformen definiert, um Gerätebelastungen zu vermeiden.
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