Vishay SIHP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 35 A 250 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 279-9924
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP074N65E-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SIHP074N65E-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 35A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SIHP | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.078Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 35A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SIHP | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.078Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der SIHP-Serie von Vishay, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 35 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHP074N65E-GE3
Dieser n-Kanal-Verbesserungs-MOSFET wurde zum Schalten und Steuern von Hochspannungs- und Hochstromkreisen in industriellen und elektronischen Systemen entwickelt. Geeignet für die Durchsteckmontage, bietet es eine kompakte Leistungshalbleiterlösung für diskrete Leistungsstufen, bei denen eine robuste Spannungsübertragung und thermische Beständigkeit erforderlich sind. Das Gerät arbeitet in einem breiten Umgebungsbereich und ist für den Einsatz in Anwendungen vorgesehen, die hohe Betriebstemperaturen und eine hohe Dauerstrombelastbarkeit erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Die Ablassspannung von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 35 A Dauerstrom unterstützt eine erhebliche Stromversorgung
• Der Einschaltwiderstand von 0,078 Ω minimiert die Leitungsverluste
• 250 W Verlustleistung erleichtert die Handhabung höherer Lasten
• 8 nC-typische Gate-Ladung ermöglicht eine schnellere Schaltreaktion
• Gate-Toleranz von 30 V schützt das Gate vor gängigen Antriebspegeln
• 35 A Dauerstrom unterstützt eine erhebliche Stromversorgung
• Der Einschaltwiderstand von 0,078 Ω minimiert die Leitungsverluste
• 250 W Verlustleistung erleichtert die Handhabung höherer Lasten
• 8 nC-typische Gate-Ladung ermöglicht eine schnellere Schaltreaktion
• Gate-Toleranz von 30 V schützt das Gate vor gängigen Antriebspegeln
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-Motorantriebs-Front-Ends
• Ideal für Schaltnetzteile in industriellen Geräten
• Wird für Wechselrichterstufen in Stromumwandlungssystemen verwendet
• Kann für elektronische Lastschalter in Automatisierungstafeln verwendet werden
• Geeignet für Überspannungsschutz und Snubber-Netzwerkimplementierungen
• Ideal für Schaltnetzteile in industriellen Geräten
• Wird für Wechselrichterstufen in Stromumwandlungssystemen verwendet
• Kann für elektronische Lastschalter in Automatisierungstafeln verwendet werden
• Geeignet für Überspannungsschutz und Snubber-Netzwerkimplementierungen
Welche Befestigungsmethode ist für die Leiterplatten-Integration erforderlich?
Er wird in einem TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das eine sichere mechanische Befestigung und eine effiziente Kühlung an einem Chassis oder einer Kühlkörperplatte ermöglicht.
Wie verhält es sich in Umgebungen mit erhöhten Temperaturen?
Er ist für den Betrieb bis zu 150 °C ausgelegt, was thermische Spielräume in dicht gepackten Stromversorgungsbaugruppen unterstützt.
Wie hoch ist der typische Bedarf an Gate-Antrieben für Schaltkonstruktionen?
Erwarten Sie eine typische Gate-Ladung von 8 nC bei Standard-Gate-Treiber-Ebenen, die Gate-Treiber-Strom- und Schaltenergieberechnungen informiert.
Welche Umwelt- oder Regulierungsnorm gilt für seine Materialien?
Das Gerät erfüllt die RoHS-Anforderungen in Bezug auf eingeschränkte Stoffe in Komponentenmaterialien.
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