Vishay SIHP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 47 A 312 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 279-9922
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP054N65E-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 47A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SIHP | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.058Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 312W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 108nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 47A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SIHP | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.058Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 312W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 108nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der SIHP-Serie von Vishay, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 47 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHP054N65E-GE3
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für die Leistungsumwandlung und -steuerung in industriellen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er funktioniert über einen breiten Temperaturbereich und wird in einem TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das eine robuste Montage und einfache Kühlung in Baugruppen ermöglicht, die eine hohe Leistungsaufnahme erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 47 A Dauerstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung • Niedriger Einschaltwiderstand von 0,058 Ω reduziert Leitungsverluste • Die Verlustleistung von 312 W ermöglicht eine erhebliche Wärmemanagement • 108 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten • 30-V-Gate-Toleranz gewährleistet Kompatibilität mit Standard-Gate-Treibern
Anwendungen
• Geeignet für SMPS-Primärschaltung in Hochspannungsversorgungen • Ideal für industrielle Motorantriebs-Frontend-Stufen • Wird für Leistungsfaktorkorrekturstromkreise in Netzgeräten verwendet • Kann für Wechselrichterstufen in erneuerbaren Energiesystemen verwendet werden
Welches Montageformat ist für die Leiterplatten- und Chassis-Integration vorgesehen?
Das Gerät wird in einem durchkontaktierten TO-220AB-Gehäuse mit drei Stiften geliefert, das eine verschraubte Kühlkörperbefestigung und eine herkömmliche, gelötete Leiterplattenmontage ermöglicht.
Wie verhält sich das Gerät in Umgebungen mit hohen Temperaturen?
Es ist für den Betrieb bis zu 150 °C spezifiziert und ermöglicht den Einsatz in Designs mit erhöhter Sperrtemperatur und entsprechendem Wärmemanagement.
Welche Gate-Antriebsaspekte sollte ich beim Schalten zulassen?
Bei einer typischen Gate-Ladung von 108 nC muss die Größe des Gate-Treibers die Schaltenergie und die Übergangsgeschwindigkeit berücksichtigen, um Schaltverluste und EMI zu bewältigen.
Was sind die Betriebsgrenzen des Geräts für eine sichere Gate-Spannung?
Die maximal zulässige Gate-to-Source-Spannung beträgt 30 V, sodass Gate-Treiberkreise innerhalb dieser Grenze bleiben müssen, um Gerätebelastungen zu vermeiden.
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