Vishay SF Series N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 33 A 313 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 735-263
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP110N65SF-GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF.3.878
Auf Lager
- Zusätzlich 987 Einheit(en) mit Versand ab 24. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.3.88 |
| 10 - 49 | CHF.2.40 |
| 50 - 99 | CHF.1.87 |
| 100 + | CHF.1.37 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 735-263
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP110N65SF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 33A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | SF Series | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.115Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 83nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 313W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie SF Series | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.115Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 83nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 313W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- IL
Der Leistungs-MOSFET von Vishay wurde für die effiziente Energiemanagement in fortschrittlichen elektronischen Systemen entwickelt. Mit seiner geringen effektiven Kapazität minimiert er Schalt- und Leitungsverluste und sorgt so für verbesserte Leistung und Zuverlässigkeit. Seine Avalanche-Energiebewertung und seine umweltfreundliche Konformität machen ihn zu einer robusten und nachhaltigen Wahl für moderne Anwendungen.
Reduziert Schalt- und Leitungsverluste für bessere Leistung
Bietet eine Avalanche-Energie-Bewertung für Langlebigkeit
Gewährleistet einen niedrigen Wert für ein optimiertes Design
Behält die RoHS-Konformität für Umweltstandards aufrecht
Halogenfreie Konstruktion für eine sicherere Nutzung
Verwandte Links
- Vishay SF Series N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 33 A 313 W, 3-Pin TO-247AC
- Vishay SIHP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 35 A 250 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay SIHP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 47 A 312 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay SIHP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 22 A 179 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay SIHP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 34 A 184 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 35 A 227 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 6.4 A 62.5 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 18 A 156 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB