Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 17.4 A 179 W, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 188-4989
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-38-848
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG21N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.10.222
- Zusätzlich 44 Einheit(en) mit Versand ab 25. Juni 2026
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.5.111 | CHF.10.23 |
| 20 - 48 | CHF.4.606 | CHF.9.21 |
| 50 - 98 | CHF.4.363 | CHF.8.72 |
| 100 - 198 | CHF.4.101 | CHF.8.19 |
| 200 + | CHF.3.838 | CHF.7.69 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-4989
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-38-848
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG21N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 235mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 15.87mm | |
| Höhe | 20.82mm | |
| Breite | 5.31mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 235mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 15.87mm | ||
Höhe 20.82mm | ||
Breite 5.31mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 800 V Drain-Source-Spannung, 17,4 A Drain-Strom – SIHG21N80AE-GE3
Merkmale und Vorteile:
Anwendungen
Welche Montageaspekte gelten für das Wärmemanagement?
Wie wirkt sich die Gate-Source-Nennspannung auf das Gate-Drive-Design aus?
Welche extremen Umgebungsbedingungen kann es während des Betriebs tolerieren?
Welcher elektrische Parameter bestimmt die Schaltenergie?
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