Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 17.4 A 179 W, 3-Pin TO-247AC

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Distrelec-Artikelnummer:
304-38-848
Herst. Teile-Nr.:
SIHG21N80AE-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

E

Gehäusegröße

TO-247AC

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

235mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

48nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

179W

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

15.87mm

Höhe

20.82mm

Breite

5.31mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 800 V Drain-Source-Spannung, 17,4 A Drain-Strom – SIHG21N80AE-GE3


Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben in industriellen Umgebungen entwickelt wurde. Es arbeitet über einen breiten Temperaturbereich, unterstützt einen hohen Dauerstrom und wird in einem TO-247AC-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das für Anwendungen geeignet ist, die eine robuste Montage und eine einfache thermische Schnittstelle erfordern.

Merkmale und Vorteile:


• 800 V Blockierfähigkeit ermöglicht Hochspannungs-Systemdesign • 17,4 A kontinuierlicher Ablassstrom für erhebliche Lasthandhabung • 235 mΩ Rds(on), um Leitungsverluste unter Last zu reduzieren • 48 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltleistung • 179 W Verlustleistung für anspruchsvolle Leistungsstufen • Ausgelegt für 150 °C für den Betrieb bei erhöhten Temperaturen

Anwendungen


• Geeignet für industrielle Motor-Frequenzumrichter-Stufen • Ideal für Hochspannungsnetzteile und Wandler • Wird für Wechselrichter- und PV-Optimierer-Designs für erneuerbare Energien verwendet • Kann für Traktions- und Leistungselektronik verwendet werden • Geeignet für hart geschaltete und weich geschaltete Halbleiterstufen

Welche Montageaspekte gelten für das Wärmemanagement?


Das durchkontaktierte TO-247AC-Format ermöglicht die direkte Verschraubung an Kühlkörper und die effektive Verwendung von Isolierpads oder Wärmeleitpasten zur Übertragung der abgeleiteten Leistung an die externe Kühlung.

Wie wirkt sich die Gate-Source-Nennspannung auf das Gate-Drive-Design aus?


Mit einer maximalen Gate-Source-Toleranz von 30 V sollten Gate-Treiber ausgewählt werden, um innerhalb dieses Fensters zu arbeiten und genügend Antrieb zu bieten, um die spezifizierte Gate-Ladung zu erreichen, ohne die Spannungsgrenze zu überschreiten.

Welche extremen Umgebungsbedingungen kann es während des Betriebs tolerieren?


Das Gerät ist für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 150 °C spezifiziert und ermöglicht den Einsatz in Installationen mit großen Umgebungs- und Sperrschichttemperaturen.

Welcher elektrische Parameter bestimmt die Schaltenergie?


Die typische Gate-Ladung von 48 nC in Kombination mit dem Ein-Widerstand und der Nennspannung des Geräts bestimmt hauptsächlich die Energieverluste während des Ein- und Ausschaltens.

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