Vishay E N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 17.4 A 179 W, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 188-4876
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG21N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF 2.868 | CHF 71.81 |
| 50 - 100 | CHF 2.697 | CHF 67.52 |
| 125 + | CHF 2.444 | CHF 61.02 |
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- RS Best.-Nr.:
- 188-4876
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG21N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 235mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 15.87mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 5.31mm | |
| Höhe | 20.82mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 235mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 15.87mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 5.31mm | ||
Höhe 20.82mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 800 V Drain-Source-Spannung, 17,4 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHG21N80AE-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für Industrie- und Leistungsumgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Transistor, der in der Lage ist, erhebliche Spannungen und Ströme zu bewältigen, während er in einem TO-247AC-Gehäuse durchkontaktiert wird. Das Gerät eignet sich für Systeme, die eine robuste Schaltung von Halbleitern über einen breiten Umgebungstemperaturbereich erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 800 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• Der kontinuierliche Ablass von 17,4 A unterstützt einen erheblichen Laststrom
• 235 mΩ Rds(on) sorgen für geringere Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 179 W ermöglicht einen Betrieb mit hoher Leistung
• 48 nC typische Gate-Ladung liefert vorhersehbare Schaltenergie
• 30-V-Gate-Nennwert ermöglicht gängige Gate-Drive-Spannungen
• Der kontinuierliche Ablass von 17,4 A unterstützt einen erheblichen Laststrom
• 235 mΩ Rds(on) sorgen für geringere Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 179 W ermöglicht einen Betrieb mit hoher Leistung
• 48 nC typische Gate-Ladung liefert vorhersehbare Schaltenergie
• 30-V-Gate-Nennwert ermöglicht gängige Gate-Drive-Spannungen
Anwendungen
• Geeignet für industrielle Hochspannungsnetzteile
• Ideal für Wechselrichter- und Motorantriebs-Schaltstufen
• Wird mit hart schaltenden Topologien in Leistungswandlern verwendet
• Kann für Audioverstärker der Klasse D verwendet werden, die eine hohe Spannung erfordern
• Geeignet für Energie- und Erneuerbare-Leistungselektronik
• Ideal für Wechselrichter- und Motorantriebs-Schaltstufen
• Wird mit hart schaltenden Topologien in Leistungswandlern verwendet
• Kann für Audioverstärker der Klasse D verwendet werden, die eine hohe Spannung erfordern
• Geeignet für Energie- und Erneuerbare-Leistungselektronik
Welchen Gate-Drive-Spannungsbereich kann ich sicher verwenden?
Das Gerät akzeptiert eine maximale Gate-to-Source-Spannung von 30 V, sodass Gate-Drive-Schaltkreise so konzipiert sein sollten, dass sie innerhalb dieser Grenze bleiben, um Gate-Spannungen zu vermeiden.
Wie funktioniert es bei extremen Temperaturen?
Der Transistor ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in industriellen Anlagen mit erhöhter Temperatur und einem geeigneten Wärmemanagement.
Welche Montageaspekte gelten für die Leiterplattenkonstruktion?
Es wird in einem TO-247AC-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, sodass Leiterplatten-Layouts geeignete Lochabstände und Kühlkörper für die Grundfläche des Gehäuses umfassen sollten.
Welches Schaltverhalten sollte ich von den Gate-Eigenschaften erwarten?
Mit einer typischen Gesamt-Gate-Ladung von 48 nC können Konstrukteure die Schaltenergie schätzen und Gate-Treiber auswählen, die die Schaltgeschwindigkeit und EMI für ihre Topologie ausgleichen.
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