Vishay SiHB22N60EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 188-4872
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB22N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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| 50 - 50 | CHF.1.576 | CHF.79.03 |
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| 250 + | CHF.1.283 | CHF.63.93 |
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- RS Best.-Nr.:
- 188-4872
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB22N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | SiHB22N60EF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 182mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Länge | 10.41mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie SiHB22N60EF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 182mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.57mm | ||
Länge 10.41mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie EF mit schneller Gehäusediode.
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige Eingangskapazität (Ciss)
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
ANWENDUNGEN
Server- und Telekommunikations-Netzteile
Schaltnetzteile (SNT)
Netzteile für Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
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