Vishay SiHB22N60EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 188-4872
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB22N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.81.90
Auf Lager
- 1’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.638 | CHF.82.16 |
| 100 - 200 | CHF.1.418 | CHF.70.67 |
| 250 + | CHF.1.334 | CHF.66.47 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-4872
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB22N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | SiHB22N60EF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 182mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 9.65 mm | |
| Länge | 10.41mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie SiHB22N60EF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 182mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 9.65 mm | ||
Länge 10.41mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.57mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie EF mit schneller Gehäusediode.
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige Eingangskapazität (Ciss)
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
ANWENDUNGEN
Server- und Telekommunikations-Netzteile
Schaltnetzteile (SNT)
Netzteile für Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
Verwandte Links
- Vishay SiHB22N60EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 179 W, 3-Pin SIHB22N60EF-GE3 TO-263
- Vishay SiHB125N60EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 25 A 179 W, 3-Pin TO-263
- Vishay SiHB125N60EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 25 A 179 W, 3-Pin SIHB125N60EF-GE3 TO-263
- Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 21 A 179 W, 3-Pin TO-263
- Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 21 A 179 W, 3-Pin SIHB155N60EF-GE3 TO-263
- Vishay SiHG22N60EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-247
- Vishay SiHP22N60EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-220
- Vishay SiHG22N60EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 179 W, 3-Pin SIHG22N60EF-GE3 TO-247