Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 15 A 179 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 210-4972
Herst. Teile-Nr.:: SIHB17N80AE-GE3
Marke:: Vishay

Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 15 A 179 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:: 210-4972
Herst. Teile-Nr.:: SIHB17N80AE-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	15A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	800V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	E
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	250mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	179W
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	41nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	14.61mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Breite	9.65mm
	Höhe	4.06mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 800V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie E
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 250mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 179W
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 41nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 14.61mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Breite 9.65mm
	Höhe 4.06mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHB17N80AE-GE3

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 800 V Drain-Source-Spannung, 15 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHB17N80AE-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Halbleitergerät, das für Schalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben in Oberflächenmontageanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen eine robuste Hochspannungsschaltung, eine moderate Strombelastbarkeit und ein kompaktes SMD-Gehäuse erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• Maximale Drain-Source-Spannung von 800 V ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 15 A kontinuierlicher Ablassstrom für mäßige Lastverarbeitung
• 250 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 179 W unterstützt den Betrieb mit hoher Leistung
• 41 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbares Schaltverhalten
• Die maximale Gate-Source-Spannung von 30 V gewährleistet die Gate-Treiber-Marge

Anwendungen

• Geeignet für SMPS-Hochspannungsschaltung auf Primärseite
• Ideal für industrielle Hochspannungsstufen
• Verwendung mit Aufwärtswandlern, die 800-V-Geräte erfordern
• Kann für die Leistungsfaktorkorrektur der Frontenden verwendet werden

Welchen thermischen Extremen kann dieses Gerät im Betrieb standhalten?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen Temperaturschwankungen.

Welches Gehäuse und welche Art der Montage sollte ich auf der Platine planen?

Das Gerät wird in einem TO-263-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage an Kühlkörperbereichen auf der Leiterplatte vorgesehen ist.

Wie viele elektrische Verbindungen bietet es aus Gründen des Layouts?

Die Komponente verfügt über drei Pins, die den Gate-, Drain- und Quellanschlüssen für die Leiterplattenverlegung entsprechen.

Was ist der Kanalmodus und wie wirkt er sich auf die Schaltung aus?

Der Transistor ist ein N-Kanal-Gerät mit Enhancement-Modus, das einen positiven Gate-Antrieb in Bezug auf die Quelle zum Einschalten erfordert.