STMicroelectronics STD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 35 V / 80 A 70 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 249-6745P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD80N240K6
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 5 - 9 | CHF.5.35 |
| 10 - 24 | CHF.4.80 |
| 25 - 49 | CHF.4.34 |
| 50 + | CHF.4.12 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 249-6745P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD80N240K6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 35V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | STD | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.01mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 70W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | UL | |
| Länge | 10.1mm | |
| Breite | 6.6 mm | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 35V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie STD | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.01mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 70W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen UL | ||
Länge 10.1mm | ||
Breite 6.6 mm | ||
Höhe 2.4mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der n-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics für sehr hohe Spannungen wurde mit der ultimativen Mesh-K6-Technologie entwickelt, die auf der Super-Junction-Technologie basiert. Das Ergebnis ist der klassenbeste On-Widerstand pro Fläche und Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überragende Leistungsdichte und hohe Effizienz erfordern.
Weltweit bester RDS(on) x Fläche
Weltweit bester FOM (Figure of Merit)
Extrem niedrige Gate-Ladung
100 % Avalanche-getestet
Zener-geschützt