Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5 A 1.1 W, 3-Pin SI2347DS-T1-GE3 SOT-23

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Herst. Teile-Nr.:
SI2347DS-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

42mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14.5nC

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

1.1W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.12mm

Breite

2.64 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.04mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der Vishay P-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 30 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 42 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Nennleistung von 1,7 W und einen Dauerstrom von 5 A. Die minimale und maximale Treiberspannung für diesen Transistor beträgt 4,5 V bzw. 10 V. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Halogenfrei

• bleifrei (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen


• DC/DC-Wandler

• Lastschalter

• Notebook-Adapterschalter

• Strommanagement

Zertifizierungen


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg-geprüft

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