Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7.6 A 1.6 W, 3-Pin SI2369DS-T1-GE3 SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 180-7798
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2369DS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | CHF.0.315 | CHF.7.93 |
| 250 - 600 | CHF.0.315 | CHF.7.79 |
| 625 - 1225 | CHF.0.242 | CHF.5.93 |
| 1250 - 2475 | CHF.0.189 | CHF.4.78 |
| 2500 + | CHF.0.158 | CHF.3.99 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-7798
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2369DS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11.4nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.6W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.04mm | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Breite | 2.64 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11.4nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.6W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.04mm | ||
Höhe 1.12mm | ||
Breite 2.64 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der Vishay P-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einem Drain-Source-Widerstand von 29 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Gate-Quellspannung von 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 30 V. Der MOSFET hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 4,5 V bzw. 10 V. Er hat einen kontinuierlichen Ableitungsstrom von 7,6 A und eine maximale Verlustleistung von 2,5 W. MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Halogenfrei
• bleifrei (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Anwendungen
• DC/DC-Wandler
• für mobiles Computing
• Lastschalter
• Notebook-Adapterschalter
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg-geprüft
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