Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 6 A 1.6 W, 3-Pin SOT-23

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
180-7277
Herst. Teile-Nr.:
SI2399DS-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

67mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.6W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.12mm

Länge

3.04mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der Vishay P-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 20 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 12 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 34 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 2,5 W und einen Dauerstrom von 6 A. Die minimale und maximale Treiberspannung für diesen Transistor beträgt 2,5 V bzw. 10 V. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Halogenfrei

• bleifrei (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen


• DC/DC-Wandler

• Lastschalter

• PA-Schalter

Zertifizierungen


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg-geprüft

Verwandte Links