Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 2.2 A 2.5 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 812-3123
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2337DS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 812-3123
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2337DS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.303Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -50°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21 | |
| Länge | 3.04mm | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.303Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -50°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.4 mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21 | ||
Länge 3.04mm | ||
Höhe 1.02mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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