Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 2.8 A, 4-Pin IRFL024NTRPBF SOT-223

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RS Best.-Nr.:
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Herst. Teile-Nr.:
IRFL024NTRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.075Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Distrelec Product Id

304-41-676

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Sie bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Dynamische dv/dt-Nennleistung

Befestigt Schaltvorgänge

Vollständig lawinenbeständig

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